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半导体工艺及器件仿真工具SentaurusTCAD第一章.pptx

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半导体工艺及器件仿真工具SentaurusTCAD第一章;第1章

可制造性设计工具

SentaurusTCAD;3/117;4/117;5/117;6/117;7/117;8/117;9/117;10/117;11/117;12/117;13/117;14/117;(3)工艺步骤说明语句

deposit:用于淀积一个新的层次。

diffuse:用于高温扩散和高温氧化。

etch:用于刻蚀。

implant:实现离子注入。

mask:用于定义掩膜版。

photo:淀积光刻胶。

strip:去除表面的介质层。

stress:用于计算应力。;16/117;17/117;18/117;19/117;20/117;21/117;22/117;23/117;24/117;25/117;26/117;27/117;28/117;29/117;30/117;31/117;32/117;33/117;34/117;35/117;36/117;37/117;38/117;39/117;40/117;41/117;42/117;43/117;44/117;45/117;46/117;47/117;48/117;49/117;50/117;51/117;52/117;53/117;54/117;55/117;56/117;57/117;58/117;59/117;60/117;61/117;62/117;63/117;64/117;65/117;66/117;67/117;68/117;69/117;70/117;71/117;72/117;73/117;74/117;75/117;76/117;77/117;78/117;79/117;80/117;81/117;82/117;83/117;84/117;85/117;86/117;87/117;88/117;89/117;90/117;91/117;92/117;93/117;94/117;95/117;96/117;97/117;98/117;99/117;100/117;101/117;102/117;103/117;104/117;105/117;106/117;107/117;108/117;109/117;110/117;111/117;112/117;113/117;114/117;115/117;116/117;117/117

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