宏盛微半导体AP7N25D.pdf

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AP7N25D

250VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP7N25Dusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

\deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=250VI7A

DSD

RDS(ON)1400mΩ@VGS=10V（Type：1000mΩ）

Application

Automativelighting

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP7N25DTO-252-3LAP7N25DXXXYYYY2500

AbsoluteMaximumRatings(TC=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage250V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃DrainCurrent,VGS@10V7A

I@T=100℃DrainCurrent,VGS@10V3.5A

IDMPulsedDrainCurrent121A

P@T=25℃TotalPowerDissipation37.5W

P@T=25℃TotalPowerDissipation3

该用户很懒，什么也没介绍

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