宏盛微半导体AP40N25PT.pdf

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AP40N25PIT

250VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP40N25P/TissiliconN-channelEnhanced

VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology

whichreducetheconductionloss,improveswitching

performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor

canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem

miniaturizationandhigherefficiency.

GeneralFeatures

V=250VI=40A

DSD

RDS(ON)130mΩ@VGS=10V（Type：100mΩ）

Application

UninterruptiblePowerSupply(UPS)

PowerFactorCorrection(PFC)

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP40N25PTO-220-3LAP40N25PXXXYYYY1000

AP40N25TTO-263-3LAP40N25TXXXYYYY800

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterValueUnit

VDSSDrain-SourceVoltage(VGS=0V)250V

IDContinuousDrainCurrent40A

IDMPulsedDrainCurrent120A

VGSSGate-SourceVoltage±30V

EASSinglePulseAvalancheEnergy900mJ

IAS

该用户很懒，什么也没介绍

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