宏盛微半导体AP5N50BD.pdf

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AP5N50BD

500VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP5N50BDissiliconN-channelEnhanced

VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology

whichreducetheconductionloss,improveswitching

performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor

canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem

miniaturizationandhigherefficiency.

GeneralFeatures

V=500VI5A

DSD

RDS(ON)3.0Ω@VGS=10V（Type：2.4Ω）

Application

UninterruptiblePowerSupply(UPS)

PowerFactorCorrection(PFC)

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP5N50BDTO-252-3LAP5N50BDXXXYYYY2500

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterValueUnit

VDSSDrain-SourceVoltage(VGS=0V)500V

IDContinuousDrainCurrent5A

IDMPulsedDrainCurrent(note1)15A

VGSGate-SourceVoltage±30V

EASSinglePulseAvalancheEnergy(note2)57mJ

IARAvalancheCurrent(note1)2.4A

该用户很懒，什么也没介绍

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