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AP60N25PIT
250VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP60N25P/TusesadvancedTrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesasHightas12V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=250VI60A
DSD
RDS(ON)33mΩ@VGS=10V（Type：28mΩ）
Application
UPS
BLDC
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
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AP60N25TTO-263-3LAP60N25PXXXYYYY800
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C
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EAra1
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