《半导体外延用碳化硅涂层石墨基座技术规范》编制说明.pdf

《半导体外延用碳化硅涂层石墨基座技术规范》

团体标准编制说明（征求意见稿）

一、工作简况

1.1工作任务来源

随着半导体产业的快速发展，碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，因其优异的

性能在半导体外延生长领域得到了广泛的应用。而碳化硅涂层石墨基座作为半导体外延生长过

程中的关键部件，其性能和质量直接影响着外延片的质量和生产效率。

依据《中华人民共和国标准化法》，以及《团体标准管理规定》相关规定，中国中小商业

企业协会决定立项并联合湖南德智新材料有限公司、浙江六方半导体科技有限公司等相关单位

共同制定《半导体外延用碳化硅涂层石墨基座技术规范》团体标准。于2024年10月18日，

中国中小商业企业协会发布了《半导体外延用碳化硅涂层石墨基座技术规范》团体标准立项通

知，正式立项。

1.2主要工作过程

1.2.1主要参加单位

本标准主要起草单位：湖南德智新材料有限公司、成都方大炭炭复合材料股份有限公司、

江苏宏基高新材料股份有限公司、湖南泰坦未来科技有限公司、广东天域半导体股份有限公司、

安徽凯威半导体科技有限公司等。起草单位主要参与草案的修改、测试方法验证等标准工作。

1.2.2工作分工

1.2.2.1第一次工作会议

2025年1月8日，线上开启《半导体外延用碳化硅涂层石墨基座技术规范》标准的启动

会议。湖南德智新材料有限公司窦坤鹏宣讲了《半导体外延用碳化硅涂层石墨基座技术规范》

的标准草案，会上与会专家、参会代表就草案内容进行逐条讨论。

1.2.2.2形成征求意见稿

2025年1月，标准编制组整理启动会上提出的意见，汇总讨论，并于2025年2月25日

形成标准征求意见稿，提交中国中小商业企业协会。

1.2.2.3工作进度安排

2024年9月，项目市场调研。

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2024年10月，开启立项论证会议，项目申报立项。

2025年1月-2月，编写团体标准项目草案，召开标准启动会。

2025年3月，公开征求意见。

2025年4月，召开编制组内部讨论会议。

2025年5月，召开标准审定会。

2025年6月，报批，发布。

二、标准编制原则

标准起草小组在编制标准过程中，以国家、行业现有的标准为制订基础，结合我国目前碳

化硅涂层石墨基座的现状，按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的

结构和起草规则》的规定及相关要求编制。

三、标准主要内容的确定

标准征求意见稿包括8个部分，主要内容如下：

1、范围

介绍本文件的主要内容以及本文件所适用的领域。

2、规范性引用文件

列出了本文件引用的标准文件。

3、术语和定义

列出了需要界定的术语和定义。

4、基本要求

本章节对半导体外延用碳化硅涂层石墨基座的原材料要求、设备要求、环境要求和产品命

名做出规定。

5、技术要求

本章节对半导体外延用碳化硅涂层石墨基座的外观要求、尺寸要求、涂层粗糙度、涂层厚

度、杂质含量、结合强度、抗热震性能和涂层材料性能做出规定。

6、试验方法

本章节对半导体外延用碳化硅涂层石墨基座的外观、尺寸、涂层粗糙度、涂层厚度、杂质

含量、结合强度、抗热震性能和涂层材料性能等试验方法做出规定。

7、检验规则

本章节对半导体外延用碳化硅涂层石墨基座的检验组批、检验项目、检测设备、取样、检

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验结果判定、检查和验收做出规定。

8、包装、运输与贮存

本章节对半导体外延用碳化硅涂层石墨基座的包装、运输和贮存做出规定。

四、与国际、国外同类标准水平的对比情况

经查，暂无相同类型的国际标准与国外标准，故没有相应的国际标准、国外标准可采用。

本标准达到国内先进水平。

五、与国内相关标准的关系

本标准的制定过程、技术要求的选定、试验方法的确定、检验项目设置等符合现行法律法

规和强制性国家标准的规定。

六、重大分歧意见的处理经过和依据

无。

七、标准作为强制性或推荐性标准的建议

建议该标准作为推荐性团体