宏盛微半导体AP1N50MI.pdf

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AP1N50MI

500VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP1N50MIissiliconN-channelEnhanced

VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology

whichreducetheconductionloss,improveswitching

performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor

canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem

miniaturizationandhigherefficiency.

GeneralFeatures

V=500VI1A

DSD

RDS(ON)15Ω@VGS=10V（Type：9Ω）

Application

LED

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP1N50MISOT23-3L1N50M-AP3000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterValueUnit

VDSSDrain-SourceVoltage(VGS=0V)500V

IDContinuousDrainCurrent1A

IDMPulsedDrainCurrent(note1)4A

VGSGate-SourceVoltage±30V

EASSinglePulseAvalancheEnergy(note2)4.8mJ

PPowerDissipation(T=25ºC)3W

该用户很懒，什么也没介绍

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