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宏盛微半导体AP4N60D.pdf

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AP4N60F/P/Y/D

600VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

FEATURES

Fastswitching

100%avalanchetested

Improveddv/dtcapability

APPLICATIONS

SwitchModePowerSupply(SMPS)

UninterruptiblePowerSupply(UPS)

PowerFactorCorrection(PFC)

DeviceMarkingandPackageInformation

DevicePackageMarking

AP4N60FTO-220FAP4N60F

AP4N60PTO-220AP4N60P

AP4N60YTO-251AP4N60Y

AP4N60DTO-252AP4N60D

AbsoluteMaximumRatingsTC=25ºC,unlessotherwisenoted

Value

ParameterSymbolUnit

TO-220FTO-220TO-251TO-252

Drain-SourceVoltage(VGS=0V)VDSS600V

ContinuousDrainCurrentID3A

PulsedDrainCurrent(note1)IDM12A

Gate-SourceVoltageVGSS±30V

SinglePulseAvalancheEnergy(note2)EAS90mJ

AvalancheCurrent(note1)IAR3A

RepetitiveAvalancheEnergy(note1)EAR10mJ

PowerDissipation(TC=25ºC)PD3045W

OperatingJunction

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