光电探测-复习总结.pptVIP

1.光电效应和热电效应重点掌握：*01各种效应的原理、特点03典型的代表器件02各种效应的比较（1）光电效应*被光激发所产生的载流子（自由电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。内光电效应：不发射电子01被光激发产生的电子逸出物质表面，形成真空中的电子的现象光子直接与物质中的电子作用，引起电子运动状态的改变，从而使物体的电学性质改变。特点：光子与材料中的电子直接作用，使电子的能态发生改变，光谱响应有选择性。外光电效应：发射电子02内光电效应：*1）光电导效应本征光电导效应非本征（杂质）光电导效应2）光生伏特效应扩散和漂移3）光子牵引效应4）光磁电效应（2）热电效应*电阻温度效应温差电效应热释电效应入射光与材料的晶格相互作用，晶格吸收光能而增加振动能量，引起材料的温度上升，从而使材料电学参量发生变化。特点：光谱范围宽、无选择性(a)(b)(4)(PE-PhotoEmission)(PMT-PhotoMultiplierTube)(PC-Photoconductive)(PV-PhotoVoltaic)(SBD－SchottkyBarrierPhotoDiode)(PEM-photoelectromagnetic)(photondrageffective)(Bolometer)PositiveTemperatureCoefficient(seebeckeffect)Pyroelectricsensor(MCP-MicrochannelPlates)(Dynode)(APD－AvalanchePhotoDiode)thermocouplesthermopileNegativeTemperatureCoefficientSolarcell（photocell）PhotoDiodephotoconductor(imageintensifiers)（1）辐射度量和光度量的对照表2.掌握和应用辐射度量（光度量）单位及相互换算Km＝683lm/W，亦称光功当量01光谱效率函数V（?）、光谱光视效能Km的定义及应用023.黑体辐射定律*（1）普朗克定律：黑体光谱辐射出射度Meb（λ，T）是黑体温度T和波长λ的函数Meb(λ,T)斯忒藩-波尔兹曼辐射定律*维恩位移定律(μm)cm-2.μm-10102034.光电探测器的性能参数*电压响应率电流响应率响应率单色响应率积分响应率频率响应率响应时间和上限频率量子效率有关响应方面的性能参数12345（2）有关噪声方面的参数*噪声种类01信噪比（S／N）02噪声等效功率(NEP)03探测率D与比探测率D*04NEP（500，400，1）05黑体D*(T，f，1)06单色Dλ*(λ，f，1)07已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4μm，则该材料的禁带宽度为?在距离标准钨丝灯2m远处放置一个照度计探头，已知探头的光敏面积为0.5cm2，若照度计测得的最大照度为100(lx)，试求：（1）标准钨丝灯在该方向的发光强度为多少？（2）所发出的光通量为多少？硅光电二极管光敏面为0.04cm2。辐照度0.1mW/cm2、波长为700nm的光垂直入射到探测器上并产生56nA的光电流。该光电管的单色响应度为?，量子效率为?.已知某探测器的面积为3×4cm2，D*=1011cm?Hz1/2w-1，光电仪器的带宽为300Hz，该仪器所能探测的光辐射的最小辐射功率？第三章光电探测器*1光电子发射探测器*掌握光电倍增管组成及工作原理掌握光电倍增管外部电路的设计及使用掌握光电发射器件的特点：使用波段、内增益（与什么有关）、灵敏度高（用什么表示）、低噪声、高电压（正负电压使用特点）、适用微弱信号检测等2PC器件*1243器件工作原理：内增益特性、灵敏度表示三种偏置电路特点工作条件（偏压、无极性）工作波段、响应频率12343PV器件*0504020301结合第二章的pn结工作原理，掌握PV器件的伏安工作曲线及对应的工作状态（零偏、反偏）PN、PIN、APD管的工作原理、结构和特点，掌握其在增益和频率响应方面的比较。光电池的工作原理、与普通光电二极管的比较光电三极管的工作原理，与光电二极管的比较PV器件相比PC器件的特点（电路工作条件、灵敏度、频率响应等方面）4热电探测器