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年月日
内容目录
1、深耕半导体高端制造装备,打造平台型龙头5
1.1二十余年砥砺前行,成就刻蚀设备+MOCVD设备龙头5
1.2核心团队产业经验深厚,股权激励彰显长期发展信心7
1.3业绩高速增长,持续研发保驾护航9
1.4兼顾外延性发展,全球化多领域布局12
2、半导体设备市场空间广阔,国产替代加速渗透14
2.1刻蚀设备:国内厂商产品覆盖度稳步提升15
2.2刻蚀设备国内领先,瞄准国内科技前沿20
3、薄膜设备需求提升,市场规模持续扩大25
3.1薄膜沉积设备:芯片制造三大核心设备之一25
3.2薄膜设备技术水平先进,持续研发新品层出28
3.3MOCVD设备国际领先,紧跟行业前沿研发进展顺利31
4、盈利预测及投资建议35
5、风险提示38
图表目录
图表1:公司发展历程5
图表2:中微反应台累计数量(台)6
图表3:中微三维发展战略7
图表4:高管及核心技术成员8
图表5:公司股权结构9
图表6:2024年股权激励计划方案9
图表7:公司营收及同比增速(亿元)10
图表8:公司归母净利润及同比增速(亿元)10
图表9:公司毛利率和净利率水平10
图表10:公司费率情况10
图表11:公司分业务营收(亿元)11
图表12:分业务毛利率11
图表13:研发费用及占比(亿元)11
图表14:存货与合同负债情况(亿元)11
图表15:中微公司三维发展战略12
图表16:中微公司各研发基地13
图表17:全球半导体设备市场规模及同比(亿美元)14
图表18:分地区半导体设备销售额(十亿美元)14
图表19:全球半导体设备细分14
图表20:2013年到2023年半导体芯片前道设备年均增速14
图表21:全球半导体晶圆产能(等效8英寸片,月产能)15
图表22:刻蚀过程重点:移除不需要材料16
图表23:刻蚀类别16
图表24:按作用机理分各类刻蚀特征17
图表25:按刻蚀材料分各类刻蚀特征17
图表26:2022年干法刻蚀细分占比(百万美元)18
图表27:电感耦合等离子体刻蚀反应腔18
图表28:ICP等离子刻蚀机设备结构示意图18
图表29:电容性等离子体刻蚀反应腔19
图表30:2022年全球刻蚀机企业竞争格局19
图表31:不同制程集成电路生产所需刻蚀工序次数20
图表32:10纳米多重模板工艺原理,涉及更多次刻蚀20
图表33:存储器件从2D到3D结构的转变使等离子体刻蚀成为最关键的加工步骤20
P.3请仔细阅读本报告末页声明
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