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宏盛微半导体APJ16N65DY.pdf

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    APJ16N65DIY

    650VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

    Description

    TheAPJ16N65D/YisCoolFETIIMOSFETfamily

    thatisutilizingchargebalancetechnologyforextremely

    lowon-resistanceandlowgatechargeperformance.

    APJ16N65F/P/Tissuitableforapplicationswhichrequire

    superiorpowerdensityandoutstandingefficiency

    GeneralFeatures

    VDS=650V（Type：730V）IDM=16A

    RDS(ON)580mΩ@VGS=10V（Type：520mΩ）

    Application

    UninterruptiblePowerSupply(UPS)

    PowerFactorCorrection(PFC)

    PackageMarkingandOrderingInformation

    ProductIDPackMarkingQty(PCS)

    APJ16N65DTO-252-3LAPJ16N65DXXXYYYY2500

    APJ16N65YTO-251S-3LAPJ16N65YXXXYYYY4000

    AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

    C

    SymbolParameterValueUnit

    VDSSDrain-SourceVoltage(VGS=0V)650V

    IDContinuousDrainCurrent9.5A

    IDMPulsedDrainCurrent(note1)21A

    VGSGate-SourceVoltage

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