国际国内半导体材硅料的发展.pptVIP

表现在用光电导衰退法测少子寿命时，示波器上光注入脉冲衰减曲线的余辉拉得很长，测量的少子“表观”寿命很长。但实验证明，含氧量很高的硅晶体经过热处理后或器件制造过程中的“氧化”、“扩散”等热处理后，再测量晶片的少子寿命时（此时氧在硅中形态已经改变，已经不对少子起“陷阱”作用），发现此时的少子寿命下降得非常严重（至少会降低一个数量级）。但应该指出，热处理后所测得的少子寿命是真实的、是实用的，而我们则可以把热处理前因氧含量高的“陷阱”作用所测得的少子寿命称之为假寿命。这就是在上世纪八、九十年代在讨论硅中氧对器件性能的影响时曾经十分热门的所谓“硅单晶热稳定性的研究”的主要内容。这就意味着，为了测得硅晶体的真实“寿命τ”，必须要求对样品先作热处理（条件是：在850～900℃甚至1100℃温度下热处理2～3小时〈可以参照硅太阳能电池制作工艺过程中的热处理条件〉，然后退火降温至450～500℃左右迅速拉出炉管冷却）后再测少子寿命。在新能源、可再生能源、绿色能源硅光伏产业中的应用。随着地球上矿物能源（煤、天然气、石油、铀）的加速消耗所造成的“能源危机”不断加剧及传统能源消耗所产生的二氧化碳等温室气体对环境压力的不断加重。开发新能源、可再生能源、绿色能源已成为人类社会今后的重大课题，其中利用太阳能发电的硅太阳能电池的研究与生产是最具前途的科技之一。因此，半导体硅材料的研究与生产又进入了新的发展期。我国的能源消耗是以煤为主的，但我国的煤只能开采约80年了，我国已成为世界最大的碳排放国；且随着现代化建设的进程，我国已成为世界上第二大石油消耗国和输入国，能源压力将日趋严重，能源安全问题早已提到议事日程上，因此大力加速发展可再生能源硅光伏产业及其基础材料－高纯半导体硅（多晶、单晶片）材料已成为当务之急。与建硅集成电路生产线相比，建设硅太阳能电池生产线其投资强度与技术难度的门槛都较低，比较合乎我国的国情，加之其国际市场十分看好，其利润空间较大，引发了我国不少地区与企业的巨大兴趣（请见表2.我国太阳能电池/组件产能计划情况）。单击此处添加大标题内容*表2.我国太阳能电池/组件产能计划情况（单位：MW）企业名称2005年产能2010年计划无锡尚德1201500苏州阿特斯60900南京中电光伏251000江苏林洋25800天威英利10500新疆新能源420上海太阳能10150京瓷（天津）1212宁波太阳能10100云南半导体10100上海泰阳10100常州天合1000洛阳中硅公司250风帆股份40龙利卡65宁波杉杉100江苏江阴100北京中轻100其他200合计2967037（实际已超过8GW）因此可以预测，硅光伏产业的发展在我国将有着极好的前景，对我国半导体硅材料，尤其是对高纯多晶硅的研制生产带来了巨大的市场空间，极好的机遇和严峻的挑战。但是，我国前几年多晶硅的严重短缺以及销售价格二十几倍的暴涨所造成的各类硅片供应极度紧张状态已经成为我国发展半导体工业、电子信息产业及新能源硅光伏产业的主要瓶颈，是当时我国电子工业中最大的结构性矛盾。半导体高纯多晶硅材料已成为一种战略性的物资。近一年来国际金融、经济危机的发生对硅光伏市场造成了一定的冲击。国际上对硅太阳能电池订单的减少给国内不少企业带来压力。但随着美、日、欧把新能源硅光伏产业作为救市的重要手段及我国的率先复苏，迎来了新年我国硅光伏产业的又一次大发展，则仍然可以预测，随着国内、外经济的复苏，将带来硅材料及硅光伏产业新的发展阶段。*二.国际半导体硅材料的发展概况（一）国际十大多晶硅生产厂家的简况。至今为止，国际上生产高纯多晶硅的主要方法仍然以“改良西门子法－三氯氢硅氢还原法”（约占全球总产量的80％）和硅烷热分解法（占总量的约20％）为主。可见：表3：国外多晶硅十个主要生产厂家的生产能力及发展预测表4：对未来几年世界主要多晶硅厂家在产能与产品结构方面的预测表5：世界未来多晶硅生产能力和市场需求的统计、预测表6：国外多晶硅新增及扩产计划，金属时评2007.7表6（新）：世界多晶硅的生产与发展预测《稀有金属新闻》（日）2009年3月8日No.2388*表3.国外多晶硅十个主要生产厂家的生产能力及发展预测?2005年末用途2006年末用途2007年末2008年?能力实际产量半导体用太阳能用能力预测产量半导体用太阳能用能力预测产量能力（日本）???????????德山52005200