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一种适用于增强型GaN+HEMT的分段前馈型驱动芯片设计.pdf

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    华中科技大学硕士学位论文

    摘要

    氮化镓（GaN）功率器件优良的品质因素（FOM）以及耐热耐压特性，使其在功

    率市场应用前景广泛。GaN器件的高频化运用，能够提高电路系统的功率密度，符合

    未来电力电子设备轻量化的发展趋势。但较高的开关速度，同样给GaN器件驱动电路

    的设计带来了挑战。一方面，开关频率的提升意味着开关损耗在总体损耗中占比的增

    加；另一方面，不受控制的开关动作可能会导致栅极电压振铃等电磁干扰（EMI）。由

    于GaN器件具有阈值电压低，栅极

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