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电力电子技术期末考试试题及答案
一、选择题(每题3分,共30分)
1.下列电力电子器件中,属于电压驱动型的是()
A.晶闸管B.电力晶体管(GTR)C.绝缘栅双极型晶体管(IGBT)D.门极可关断晶闸管(GTO)
答案:C
解析:电压驱动型器件是指通过控制极电压来控制器件的导通和关断。IGBT是电压驱动型器件,其输入阻抗高,驱动功率小。而晶闸管、GTR和GTO都是电流驱动型器件,需要较大的驱动电流来控制其导通和关断。
2.单相半波可控整流电路带电阻性负载时,晶闸管的导通角α的变化范围是()
A.0°~90°B.0°~120°C.0°~150°D.0°~180°
答案:D
解析:在单相半波可控整流电路带电阻性负载时,晶闸管在电源电压正半周时可以触发导通,触发角α最小为0°(即立即触发),最大为180°(即不触发),所以导通角α的变化范围是0°~180°。
3.三相桥式全控整流电路带电阻性负载时,晶闸管的触发脉冲间隔是()
A.60°B.90°C.120°D.180°
答案:A
解析:三相桥式全控整流电路有6个晶闸管,按顺序依次触发。一个周期为360°,平均分配给6个晶闸管,所以触发脉冲间隔为360°÷6=60°。
4.下列哪种电路不能实现有源逆变()
A.单相半波可控整流电路B.单相全控桥整流电路
C.三相半波可控整流电路D.三相桥式全控整流电路
答案:A
解析:实现有源逆变需要满足两个条件:一是要有直流电动势,其极性须和晶闸管的导通方向一致,其值应大于变流器直流侧的平均电压;二是要求晶闸管的控制角α>90°,使Ud为负值。单相半波可控整流电路在α>90°时,输出电压Ud虽然可以为负,但由于其电路结构特点,不能保证有足够的能量反馈到交流电源,所以不能实现有源逆变。而其他三种电路在满足条件时都可以实现有源逆变。
5.降压斩波电路中,已知电源电压U=100V,斩波周期T=200μs,导通时间ton=100μs,则输出电压平均值Uo为()
A.20VB.50VC.80VD.100V
答案:B
解析:降压斩波电路输出电压平均值Uo的计算公式为Uo=(ton/T)×U。已知U=100V,T=200μs,ton=100μs,代入公式可得Uo=(100μs/200μs)×100V=50V。
6.升压斩波电路中,电感L在开关导通时()
A.储存能量B.释放能量C.既不储存也不释放能量D.无法确定
答案:A
解析:在升压斩波电路中,当开关导通时,电源向电感L供电,电感中的电流线性增加,电感储存能量;当开关关断时,电感释放能量,与电源电压叠加后向负载供电。
7.下列不属于PWM控制方法的是()
A.单极性PWM控制B.双极性PWM控制C.异步调制D.相控整流
答案:D
解析:PWM(脉冲宽度调制)控制方法包括单极性PWM控制、双极性PWM控制、异步调制、同步调制等。相控整流是通过控制晶闸管的触发角来改变整流输出电压,不属于PWM控制方法。
8.电力电子器件的串联使用时,需要考虑的主要问题是()
A.均流问题B.均压问题C.缓冲问题D.散热问题
答案:B
解析:当电力电子器件串联使用时,由于器件参数的分散性,会导致每个器件承受的电压不相等,可能会使承受电压过高的器件损坏,所以需要考虑均压问题。而均流问题是器件并联使用时需要考虑的主要问题。
9.下列关于软开关技术的描述,错误的是()
A.软开关技术可以减少开关损耗B.软开关技术可以降低电磁干扰
C.软开关技术可以提高开关频率D.软开关技术只能应用于直流直流变换电路
答案:D
解析:软开关技术是通过在电路中引入谐振元件,使开关器件在零电压或零电流的条件下开通或关断,从而减少开关损耗、降低电磁干扰,并且可以提高开关频率。软开关技术不仅可以应用于直流直流变换电路,还可以应用于交流直流变换、直流交流变换等电路中。
10.下列哪种变流电路可以实现交流交流直接变换()
A.整流电路B.逆变电路C.斩波电路D.交流调压电路
答案:D
解析:整流电路是将交流变为直流;逆变电路是将直流变为交流;斩波电路是将直流变为另一电压等级的直流;交流调压电路可以通过控制晶闸管的导通角,直接改变交流电压的大小,实现交流交流直接变换。
二、填空题(每题2分,共20分)
1.电力电子技术是一门将______和__
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