T_ACCEM 515—2025(高性能高密度沟槽栅IGBT器件).pdf

ICS31.080.01

CCSL42

ACCEM

团体标准

T/ACCEM515—2025

台

平

息

高性能高密度沟槽栅IGBT器件

信

High-performancehigh-densitytrench-gateIGBTdevices

准

标

体

团

国

全

2025-3-20发布2025-4-18实施

中国商业企业管理协会  发布

T/ACCEM515—2025

目次

前言II

台

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

平

4结构1

5技术要求2

6试验方法3

息

7检验规则3

8标志、包装、运输和贮存4

信

准

标

体

团

国

全

I

T/ACCEM515—2025

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。台

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由青岛佳恩半导体有限公司提出。

本文件由中国商业企业管理协会归口。

本文件起草单位：青岛佳恩半导体有限公司、青岛佳恩半导体科技有限公司、深圳佳恩功率半导体

有限公司、苏州创芯致尚微电子有限公司。平

本文件主要起草人：王丕龙、王新强、何钧、李学贵、张凯、吴洪基、陈佳恩、侯彩侠、王永铖、

朱建英、朱加庚、马丽娜、李娜、武瑶萍、邓颖、谭文涛、贾洪玉、李永、郑建国、杨玉珍、秦鹏海、

李婉秋、刘增、豆坤、李晓东、李大鑫。息