LB纳米薄膜制备及光电协同调控下的电存储性能研究：原理、方法与应用.docx

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2025-04-06 发布于上海
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LB纳米薄膜制备及光电协同调控下的电存储性能研究：原理、方法与应用

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，电子器件正朝着小型化、高性能化的方向迈进，对新型材料及制备技术的需求愈发迫切。LB纳米薄膜作为一种在分子水平上精确构建的纳米材料，凭借其独特的物理和化学性质，在电子器件领域展现出了巨大的应用潜力。LB（Langmuir-Blodgett）膜技术诞生于20世纪，它是将具有亲水头和疏水尾的两亲分子分散在水面（亚相）上，沿水平方向对水面施加压力，使分子在水面上紧密排列，形成一层排列有序的不溶性单分子膜，即Langmuir膜（L膜）；随后用膜天平将不溶物单分子膜转移到固