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模电重点总结复习必备.pptVIP

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总复习

•器件部分

•分析方法

•电路部分

01

半导体器件(二极管、三极管、场效应管)

一、器件部分

02

集成运放

1、二极管

二极管的应用

工作原理:利用稳压管的反向

击穿特性稳压的,由于反向特

1性陡直,较大的电流变化,只

稳压管:会引起较小的电压变化。

稳压二极管在工作时应反接,

2并串入一只电阻

三极管放大的内部条件和外部条件

内部条件:发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度,

且基区很薄。

2、三极管外部条件:发射结正向偏置,集电结反向偏置。

对管:

NPNUCUBUE

对管:

PNPUCUBUE

电流法判别是否工作在饱和区

IBIBS则饱和

ICSVCCUCES

IBS

(RCRE)

IBIBS则放大

临界饱和电流ICS和IBS:

011.输入特性曲线022.共射电路输出

iB=f(uBE)uCE=常数l特性曲线

三极管特性曲iC=f(uCE)iB=常数

线(共发射极)

由PCM、ICM和

U(BR)CEO在输出特性

曲线上可以确定过损耗

区、过电流区和击穿区。

输出特性曲线上的过损

耗区和击穿区

N沟道

JFET

结型P沟道

FETN沟道

3、场效应管场效应管增强型

MOSFETP沟道

(IGFET)

N沟道

绝缘栅型耗尽型

P沟道

转移特性曲线:

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