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2025年通信电子计算机技能考试-半导体芯片制造工笔试考试历年典型考题及考点含含答案

第1卷

一.参考题库(共100题)

1.杂质原子的扩散方式有哪几种？它们各自发生的条件是什么？从原子扩散的角度举例说明氧化增强扩散和氧化阻滞扩散的机理。

2.光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶。（）

3.典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。

4.在突缘电阻焊工艺中，要获得良好的焊接质量，必须确定的基本规范包括（）

A、焊接电流、焊接电压和电极压力

B、焊接电流、焊接时间和电极压力

C、焊接电流、焊接电压和焊接时间

5.钎焊包括合金烧结、共晶焊；聚合物焊又可分为（）、（）等。

6.最通常的半导体材料是什么？该材料使用最普遍的原因是什么？

7.铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不能获得牢固的焊接，甚至根本无法实现焊接的原因是铝的表面在空气中极易生成一层（），它们阻挡了铝原子之间的紧密接触，达不到原子之间引力范围的间距。

8.什么是CMOS技术？什么是ASIC？

9.将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触，再用紫外光照射来进行曝光的方法，称为（）曝光。

A、接触

B、接近式

C、投影

10.在光刻中，能够在增加分辨率的同时增加聚焦深度吗？为什么？

11.例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。

12.描述电子回旋共振（ECR）。

13.名词解释：high-k；low-k；Fabless；Fablite；IDM；Foundry；Chipless。

14.场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（）

15.集成电容主要有哪几种结构？

16.什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？

17.延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。

18.解释水的去离子化。在什么电阻率级别下水被认为已经去离子化？

19.化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面的杂质除去。

20.离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。

A、能量

B、剂量

21.用肉眼或显微镜可观察二氧化硅的以下质量：颜色（）、结构（）；表面无（）、无（）、不发花；表面无裂纹、（）。

22.例举并描述薄膜生长的三个阶段。

23.在干法刻蚀的终点检测方法中，光学放射频谱分析法最常见，简述其工作原理和优缺点。

24.光学光刻中影响图像质量的两个重要参数是什么？

25.在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。（）

26.解释铝已经被选择作为微芯片互连金属的原因。

27.变容二极管的电容量随（）变化。

A、正偏电流

B、反偏电压

C、结温

28.非接触式厚膜电路丝网印刷时，丝网与基片之间有一定的距离，称为间隙，通常为（）。

A、小于0.1mm

B、0.5～2.0mm

C、大于2.0mm

29.下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线，试分析曲线走势，并给出其变化的原因。

30.叙述H2还原SiCl4外延的原理，写出化学方程式。

31.按蒸发源加热方法的不同，真空蒸发工艺可分为：（）蒸发、（）蒸发、离子束蒸发等。

A、电阻加热

B、电子束

C、蒸气原子

32.影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？

33.硅MOSFET和硅JFET结构相同。（）

34.迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）

35.简述RTP在集成电路制造中的常见应用。

36.说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。

37.影响氧化速度的因素有哪些？

38.一片硅片由0.3um厚的SiO2薄膜覆盖。所需数据见下表，玻尔兹曼常数k=1.38×10-23。（1）在1200℃下，采用H2O氧化，使厚度增加0.5um需要多少时间？。（2）在1200℃下，采用干氧氧化，增加同样的厚度需要多少时间？

39.塑封中注塑成型工艺主要工艺参数有（）、模具温度、合模压力、注射压力、注射速度和成型时间。

A、准备工具

B、准备模塑料

C、模塑料预热

40.什么是硅化物？难熔金属硅化物在硅片制造业中重要的原因是什么？

41.什么是掺杂？例举四种常用的掺杂杂质并说明它们是