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阈值开关选通器件：原理、特性与忆阻器阵列应用新探

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今信息时代，数据呈现出爆炸式增长的态势。国际数据公司（IDC）的报告显示，全球每年产生的数据量从2010年的1.2ZB预计增长到2025年的175ZB，如此庞大的数据量对存储技术提出了前所未有的挑战。传统的存储技术，如动态随机存取存储器（DRAM）和闪存（NANDFlash），逐渐难以满足日益增长的高性能、低功耗、高密度存储需求。新型存储技术的研发成为解决这一问题的关键突破口。

忆阻器作为一种新型的存储器件，自2008年惠普实验室成功制备出TiO?基忆阻器以来，凭借其独特的电阻记忆特