半导体行业SEMICON大会跟踪报告：国产设备新品持续发布，零部件国产化加速推进.pdfVIP

行业深度报告

正文目录

1、新凯来首次亮相SEMICON，标志着国内半导体整体实力进一步提升3

2、国产设备新品持续推出，细分工艺创新加速5

3、SEMICON提升国产设备零部件关注度，核心产品国产替代有望加速推进..7

4、投资建议8

5、风险提示8

图表目录

图1：北方华创12英寸电镀设备技术参数5

图2：氧化硅、氮化硅和多晶硅晶圆在中微ICP双反应台上刻蚀速度的差别...6

表1：新凯来部分设备布局3

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行业深度报告

1、新凯来首次亮相SEMICON，标志着国内半导体整体实力

进一步提升

新凯来首次亮相SEMICON，展示了扩散、刻蚀、薄膜沉积、量检测共四大类半导体设备，涵盖EPI、

RTP、ICP/CCP、PVD、CVD、PEALD/ThermalALD、明场/暗场/无图形/掩模版检测、套刻精度

量测等细分工艺。根据新凯来展示材料，公司产品工艺覆盖度较高，如刻蚀设备可以适用硅、介质、

金属等材料，并且已经掌握双大马士革、超高深宽比等关键工艺；ALD设备可适配国内先进节点，

覆盖PEALD和ThermalALD两大工艺，可用于多重曝光、栅极填充、栅氧化层、刻蚀阻挡层等关

键薄膜，适用图形化、超薄薄膜、超高深宽比和gapfill需求。从机台设计来看，公司刻蚀、薄膜设

备采用多腔体结构，设备集成度较高，可根据不同需求配置不同的腔体，如武夷山1号MasterCCP

干法刻蚀设备采用全对称架构，整体可配置6个工艺腔（PM）；阿里山1号PEALD设备搭配五边

形平台和Twin腔领先架构。

表1：新凯来部分设备布局

设备分类设备型号适用工艺适用材料

峨眉山1号源漏极锗硅外延硼掺杂锗硅，硼掺杂锗硅镓等

EPI峨眉山2号源漏极锗硅外延磷硅，磷硅砷等

沟道外延，超晶格叠层外延，埋层

峨眉山3号锗硅，纯硅，纯锗等

外延

扩

散浅沟槽氧化，栅氧生长，High-K

产三清山1号材料退火，钛硅化物退火，ALD

品栅氧致密化等

RTP三清山2号轻掺源漏退火，源漏退火，高K

材料盖帽层退火等

三清山3号阱退火，深N阱退火，源漏退火，

钴硅化物退火，镍硅化物退火等

武夷山1号MASTER接触孔刻蚀，硬掩模刻蚀，双大马

氧化硅，氮化硅，氮氧化硅等

CCP设备士革工艺等

武夷山3号

刻蚀产品ICP设备栅极刻蚀，多重图形，鳍刻蚀等硅，锗硅，氮化钛等

工艺装备

武夷