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2025年通信电子计算机技能考试-平板显示技术考试近5年真题集锦(频考类试题)带答案
第I卷
一.参考题库(共80题)
1.简述隔垫物的种类及优缺点。
2.简述彩色显示的原理。
3.述5次光刻中第5次像素电极光刻形成的ITO的作用。
4.何为LED器件的变频特性?由于LED变频特性存在如何实现高分辨率LED图像显示?
5.简述场致发射的结构及原理。
6.简述2T1C驱动原理及面临的问题。
7.请画出常白型TN液晶显示器的显示原理图,并简述显示原理。
8.简述FED与CRT显示原理的异、同点。
9.OLED如何实现彩色显示?
10.简述LCD视角窄的原因。
11.FED阴阳间距大小对显示性能的影响如何?
12.简述7次光刻的第二次光刻中O2灰化的作用。
13.简述ACF的作用。
14.如何降低PDP工作电压?
15.简述聚合物发光二极管的发光原理。
16.简述自对准结构的优点。
17.简述能量转移再复合发光的优点。
18.简述背沟道阻挡结构的优缺点。
19.简述有机薄膜晶体管的特点。
20.简述干法刻蚀的物理作用和化学作用。
21.描述MVA技术如何实现的广视角?
22.简述非晶硅薄膜晶体管的工作原理。
23.简述低温多晶硅薄膜晶体管特点。
24.简述CRT显示的原理。
25.简述MVA技术的显示原理。
26.简述COG工艺的连接原理。
27.简述AMOLED和PMOLED的区别。
28.分析COF工艺和COG工艺哪种更适合高分辨率显示?为什么?
29.简述三种彩色电视制式的特点和差异。
30.简述有源矩阵液晶显示器的主要组成部件。
31.简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。
32.哪种模块工艺更适合制作精细线路?为什么?
33.触摸屏为什么是一种绝对定位系统?
34.分析为什么COF工艺具有轻薄短小的特点?
35.以ITO阳极-空穴传输层-发光层-电子传输层-金属阴极结构OLED为例说明每一功能层的作用,并简述其工作原理。
36.简述PVA技术和MVA技术的主要不同。
37.简述STN型液晶显示器的显示原理。
38.简述LED和OLED电致发光的发光原理的区别。
39.非晶硅半导体有什么特点?非晶硅是哪种半导体?
40.简述PDP显示的面板结构。
41.什么是多点触控技术?简述多点触控技术的特点。
42.简述TFT在液晶显示器中的作用。
43.简述FED和CRT的区别。
44.简述影响OLED发光效率的主要因素和提高发光效率的措施。
45.描述无源矩阵的点阵式驱动的原理。
46.简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。
47.简述柔性OLED显示的优点。
48.简述PDP多灰度级显示的实现方法。
49.非晶硅是哪种半导体,其能带的特点?
50.简述COF工艺特点。
51.VFD工作原理及其器件构造是怎样的?
52.简述铁电液晶的工作原理。
53.简述激光显示技术的种类?举例说明激光显示原理。
54.简述5次光刻的工艺流程。
55.描述彩色光的3个基本参量是什么?各是什么含义?
56.不同种类的液晶材料是不是都能应用到显示中?在各种类型的显示中,液晶材料是不是可以互换?请举一个例子分析为什么?
57.简述3T1C、6T1C驱动电路中各个TFT的作用。
58.简述扭曲效应显示器件和超扭曲向列液晶显示器工作原理的差异。为什么采用超扭曲向列效应的液晶显示板能增大液晶显示屏的行数?
59.简述低温多晶硅技术的挑战。
60.简述液晶显示器闪烁形成的原因。
61.IPS技术为什么有硬屏之称?通过与其他广视角技术对比举例说明。
62.简述微晶硅薄膜晶体管中非晶硅薄膜上面有一层金属薄膜Mo的作用,以及工艺中需要采用的特殊技术?
63.简述层间清洗的作用。
64.简述有源矩阵的驱动原理。
65.设计一款4.5英寸,分辨率为960×640的显示屏,能达到多少ppi?长宽比为4:3的话,像素间距能达到多少?
66.画出阵列基板单元像素的平面图形及等效电路,简述其结构。
67.简述PECVD薄膜沉积的原理。
68.简述多晶硅薄膜晶体管驱动OLED的优点。
69.黑白全电视信号由哪些信号组成?说明这些信号各自的作用。
70.简述背沟道刻蚀型结构的优缺点。
71.从电导率的角度思考,如何能制作出高性能的薄膜晶体管?提高载流子浓度可以吗?
72.什么是PDP动态假轮廓?简述其形成原因和抑制措施。
73.荧光粉厚度对显示性能的影响是什么?
74.举例说明各向同性和各向异性刻蚀的特点。
75.分析叠层存储电容带来的优点和工艺特点。
76.为什么ODF工艺更适合5代线以上的生产线?
77.源漏电极很多工厂采用的复层材料Mo/Al/Mo,试分析上下层Mo的作用。
78.简述TN型液晶显示器的显
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