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基于先进技术的GaN/InGaN微发光二极管器件微观结构表征研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，半导体发光器件在现代生活中的应用愈发广泛，其中GaN/InGaN微发光二极管（Micro-LED）凭借其卓越的性能优势，在显示、照明、光通信等领域展现出巨大的应用潜力，成为了研究的焦点。

在显示领域，传统的液晶显示（LCD）和有机发光二极管显示（OLED）在面对高分辨率、高亮度、高对比度以及快速响应等需求时，逐渐暴露出一些局限性。而GaN/InGaNMicro-LED以其自发光、高亮度、高对比度、快速响应、低功耗、长寿命等特性，为显示技术的突破提供了新的方向。例如