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微电子制造概论复习提纲1243名词解释（英文缩写翻译，解释）（每题4分，5题，共20分）填空（每空2分，10空，共20分）简答（每题5~10分，5题，共45分）分析计算（每题15分，1题，共15分）1234题目类型半导体原理半导体器件原理半导体设计基础半导体制造基础PCB设计和制造技术芯片互联和封装技术无源元件制造技术SMT技术基础每章主要知识点01半导体的能带理论（分析导体、绝缘体、半导体的区别）02半导体的载流子（种类、特点）03本征半导体和本征激发04杂质半导体的种类，p型和n型半导体的类型区别，主要掺入杂质的种类，多数载流子和少数载流子，施主杂质和受主杂质，补偿效应1、半导体物理基础231载流子迁移（漂移）运动和扩散运动载流子浓度，费米能级的意义非平衡载流子：热平衡和非热平衡的区别，非平衡载流子载流子的特点，载流子的复合（种类，寿命，复合中心）1、半导体物理基础STEP1STEP2STEP3STEP4pn结：pn结的形成，内电场，空间电荷区，pn结的电流电压特性，击穿的种类和原因；双极型晶体管（三极管）：种类（pnp、npn），结构，分析其能够产生电流放大的条件，分析其开关特性的条件和原因场效应管晶体管（MOS管）：场效应的原理，MOS管的结构，增强型和耗尽型、n沟道和p沟道--不同MOS管的工作开启电压条件CMOS管的结构2、半导体器件原理逻辑电路基础：基本逻辑运算（与，或，非，与非，或非）的运算法则、真值表、逻辑图（符号）、逻辑表达式、时序图，简单逻辑电路1CMOS门电路：非电路，与非电路，或非电路，其他的逻辑电路转换为上面的三种电路的组合23、半导体设计基础3、半导体设计基础3.3集成电路的设计流程3.4集成电路的版图设计：3.4.1什么是关键尺寸（CD）？3.4.2什么是基于“λ”的设计准则？3.4.3什么是按比例缩小原则？有什么用？3.4.4什么是摩尔定律？有什么用？3.5集成电路的系统设计：3.5.1设计方法有哪些？3.5.2什么是ASIC？PAL？GAL？FPGA？4、半导体制造基础半导体级别硅的生产工艺单晶硅锭的生长工艺CZ拉伸法：原理，拉伸设备的结构悬浮区熔法：原理，设备结构两种方法的优缺点晶圆（wafer，硅圆片）的制造工艺洁净室的分类标准4、半导体制造基础氧化工艺：氧化工艺的种类（优缺点），适用于哪些应用；化学气相淀积（CVD）：定义、种类外延：定义，外延的方法，外延的应用氮化硅：作用，主要工艺多晶硅：作用，主要工艺金属化：金属化的主要作用，材料金属化工艺：蒸发、溅射：原理，应用光刻胶的种类，优缺点，应用范围光刻工艺的主要步骤：成底模--涂胶--前烘--对准和曝光--后烘--显影--硬烘--检查，每步骤的主要目的3曝光光源种类，涂胶主要工艺，分辨率定义等蚀刻的种类湿法刻蚀的特点，缺点干法刻蚀的特点，优点，缺点，种类光刻蚀刻4、半导体制造基础杂质注入1扩散：原理、主要流程2离子注入：原理，设备，特点CMP：化学机械抛光的原理CMOS集成电路的制作过程0103024、半导体制造基础5、芯片互联和封装技术5.1引线键合技术：WireBonding（WB）5.1.1、引线键合的定义5.1.2、引线键合的方式5.1.3、引线键合工艺的种类5.1.4、引线的材料5.2载带自动焊技术：TapeAutomatedBonding（TAB）5.2.1、定义5.2.2、与WB相比的优点5.3、倒装焊技术：FlipChip（FC）5.3.1定义5.3.2特点、封装的种类贴装封装：SOP，SOJ，QFP，BGA塑料封装和陶瓷封装的特点插装封装：SIP，DIP，PGA等5、芯片互联和封装技术6、无源元件制造技术6.1、无源元件的定义、种类6.2、薄膜成膜技术6.2.1、真空蒸发技术：原理，应用范围6.2.2、溅射技术：原理，应用范围6.2.3、膜厚监控技术：种类6.3、厚膜技术：6.3.1、厚膜浆料的成分和其作用6.3.2、厚膜工艺：印制（种类）烧结6.3.3、厚膜厚度的测试：方阻（定义，测试方法）6.3.4、微调技术：电阻微调技术种类，电容微调分类电解电容的主要结构，铝电解电容的主要工艺集成式无源元件的优点嵌入式无源元件的优点薄膜电阻的主要工艺01020304056、无源元件制造技术无源元件及其制造PCB的基本术语：PCB、基板、单面板，双面板，多层板，焊盘，连接盘，导线，过孔，盲孔，沉孔等PCB设计准则设计流