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2025届高三下学期限时训练12
用时25分钟
1.类比和推理是中学化学学习的重要方法,下列推测合理的是()
A
冰晶体中分子采用非密堆积
氨晶体中分子也采用非密堆积
B
晶体是分子晶体
晶体也是分子晶体
C
分子为正四面体形,键角为
分子也是正四面体形,键角也是
D
呈直线形,中心原子采用sp杂化
呈直线形,中心原子也采用sp杂化
A.A B.B C.C D.D
2.加热煮沸浓NaOH溶液和白磷反应可制,该过程同时可获得。其中一个反应为。下列说法不正确的是()
A.热稳定性:,沸点:
B.与都是分子晶体
C.制备过程中有极性键、非极性键的断裂,也有极性键、非极性键的形成
D.的配位能力比强,这是由于配体中的P存在3d空轨道
3.某锂离子电池电极材料结构如图。结构1是钴硫化物晶胞的一部分,可代表其组成和结构;晶胞2是充电后的晶胞结构;晶胞3中P的分数坐标为(0,0,0),所有晶胞均为立方晶胞。下列说法正确的是()
A.晶胞2中Li的配位数是4
B.晶胞2和晶胞3是两种不同构型的
C.结构1钴硫化物的化学式为
D.晶胞3中M的分数坐标为
4.某锂离子电池电极材料结构如图。结构1是钴硫化物晶胞的一部分,可代表其组成和结构;晶胞2是充电后的晶胞结构;所有晶胞均为立方晶胞。下列说法正确的是()
A.结构1的化学式可表示为
B.晶胞2中与的最短距离为
C.充电前后与S距离最近的金属原子数目相同
D.晶胞2和晶胞3表示同一晶体
5.金属铁因生产工艺和温度不同,会有不同的晶体结构。和的晶体结构如图所示,下列说法正确的是()
A.中铁原子的配位数为12
B.1个晶胞的质量约为g
C.金属铁因为有自由移动的离子而具有导电性
D.与性质完全相同
6.汞及其化合物在我国应用的历史悠久,可用作医药、颜料等。一种含汞化合物的立方晶胞结构如图所示,该晶胞的密度为,A的分数坐标为。
下列说法正确的是()
A.B的分数坐标为
B.晶胞中相邻的两个之间的距离为
C.阿伏加德罗常数为
D.图2是晶胞的俯视图
7.锰的某种氧化物的四方晶胞及其在xy平面的投影如图所示,当晶体有O原子脱出时,形成O空位会使晶体具有半导体性质。下列说法正确的是()
A.锰元素基态原子的价电子排布图为:
B.该氧化物化学式为
C.出现O空位,的化合价升高
D.晶体难以通过形成O空位具有半导体性质
8.下列物质中,含有极性共价键的离子晶体是()
A. B. C. D.
9.已知晶体属立方晶系,晶胞边长a.将掺杂到该晶胞中,可得到一种高性能的p型太阳能电池材料,其结构单元如图所示。假定掺杂后的晶胞参数不发生变化,下列说法正确的是()
A.该结构单元中O原子数为3 B.Ni和Mg间的最短距离是a
C.Ni最近且等距的O原子个数为4 D.该物质的化学式为
10.科研工作者合成了低温超导化合物M,再利用低温去插层法,获得了一个新化合物N。二者的晶胞结构如图所示,下列说法正确的是()
A.去插层过程中Cs元素均转化为Cs单质
B.N的化学式为
C.M中与Cs原子最临近的Se原子有2个
D.N中V原子填充了Se原子构成的正八面体空隙
11.实验室制取的原理为,氢氟酸可用来刻蚀玻璃,发生反应:。的立方晶胞如图所示,其晶胞参数为。下列说法错误的是()
A.氢化物的稳定性:
B.、、三者的中心原子价层电子对数相等
C.的晶体密度为(为阿伏加德罗常数的值)
D.晶体中与之间的最近距离为晶胞体对角线长的
12.已知图甲为金属钠的晶胞,晶胞棱长为apm,其晶胞截面如图乙所示。图丙为ZnS晶胞截面,已知ZnS属立方晶体,假设晶胞棱长为dpm。下列关于ZnS晶胞的描述错误的是()
A.每个晶胞中含有的数目为4
B.与距离最近且相等的有8个
C.该晶胞中两个距离最近的和的核间距的计算表达式为
D.ZnS晶体的密度为(表示阿伏加德罗常数的值)
13.由铜、铟、镓、硒组成的晶体属于四元半导体化合物,原子填充在与(或)围成的四面体空隙中,晶胞棱边夹角均为,设为阿伏加德罗常数的值。已知:A点、B点原子的分数坐标分别为和。下列说法错误的是()
A.该晶体的化学式:
B.C点原子的分数坐标是
C.距离原子最近且等距的原子有2个
D.若晶胞中与原子数相同,晶体密度为
14.干冰晶体的晶胞如图1所示,形状是边长为的立方体,沿连线方向的投影图如图2所示。下列说法错误的是
A.该晶体为分子晶体
B.晶胞沿连线旋转可与旋转前重合
C.该晶体中每个分子周围有12个紧邻分子
D.该晶体的密度为
15.一种钽(Ta)的化合物的四方晶胞结构如图所示()。已知
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