TCI-低维半导体材料生长、表征及电子元器件制作流程规范.pdf

ICS31.080

CCSL43

CI

团体标准

T/CIXX-2024

低维半导体材料生长、表征及电子元器件制

作流程规范

SpecificationfortheGrowth,Characterization,AndFabricationProcess

ofLow-DimensionalSemiconductorMaterials

（征求意见稿）

2024-00-00发布2024-00-00实施

中国国际科技促进会发布

T/CIXX-2024

目次

前言II

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4总则2

4.1基本原则2

4.2生长要求2

4.3表征技术3

5电子元器件制作流程5

5.1概述5

5.2材料准备5

5.3清洗5

5.4图案化5

5.5掺杂5

5.6沉积5

5.7蚀刻6

5.5热处理6

5.9元器件组装6

6检验与测试6

6.1检查要求6

6.2检查项目及方法6

I

T/CIXX-2024

前  言

本文件按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由中国国际科技促进会提出并归口。

本文件主要起草单位：XXX、XXX、XXX。

本文件主要起草人：XXX、XXX、XXX。

本文件为首次发布。

II

T/CIXX-2024

低维半导体材料生长、表征及电子元器件制作流程规范

1范围

本文件规定了低维半导体材料生长、表征及电子元器件制作流程总则、电子元器件制作流程、检验

与测试。

本文件用于低维半导体材料生长、表征及电子元器件制作流程。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T1555半导体单晶晶向测定方法

GB/T2423.4电工电子产品环境试验第2部分:试验方法试验Db:交变湿热(12h+12h循环)

GB/T13971紫外线气体分析器技术条件

GB/T35392无损检测电导率电磁（涡流）测定方法

GB/T36083-2018纳米技术纳米银材料生物学效应相关的理化性质表征指南

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

纳米银材料silvernanomaterials

三维空间尺度至少有一维处于纳米量级（nm～100nm)的单质银材料，其可以粉末形式或分散在溶

液中存在。

[来源：GB/T36083-2018，定义3.1]

3.2

低维半导体材料lo