数字电子技术基础PPT第7章存储器.pptVIP

【例7-2】十进制数-4位二进制数代码转换（拨码盘电路）。【例7-3】采用ROM实现2位二进制数相乘。7.2随机存储器随机存取存储器（RAM）用于随机向存储器的存储单元写入数据或从存储单元中读出数据，具有无限次存取、存取速度快的特点。在易失数据随机存储器中，存储单元断电后，存储器中的信息会丢失。1．易失数据的随机存储器（1）静态随机存储器（SRAM，StaticRandomAccessMemory）数据保存在类似触发器的存储单元中，只要有电源，数据就存在。（2）动态随机存储器（DRAM，DynamicRandomAccessMemory）数据保存在电容器组成的存储单元中，要使数据存在，不仅需要电源，而且需要刷新电容中的电荷（充电）。2．非易失数据RAM存储器（NVRAM，NonvolatileRAM）（1）SRAM+后备电池（BAKBAT）这种非易失RAM，把低功耗SRAM与供电电池集成到1个封装中，具有RAM的读/写速度，又具有非易失的特点。当电源电压降低到一定值时，芯片处于写保护状态，正常工作情况下，电池不断地被充电，使断开外电源后，电池的电量仍然可以使数据保存几十年以上。（2）SRAM+E2PROM这种非易失存储器不需要后备电池，可以像SRAM一样地读/写，所以兼容现在所有的SRAM接口，在电压降低到一定值时，数据会保存到E2PROM中，当电压升到一定值时，会自动将数据返回SRAM中。7.2.1静态随机存储器静态随机存储器的组成SRAM由存储矩阵、地址译码电路、读写控制电路组成，图7-26所示的就是4096个存储单元的静态随机存储器。2．SRAM的存储器单元静态随机存储器的存储单元工作原理与触发器类似，一般由MOS管组成，在小容量的静态随机存储器中也有使用双极性晶体管组成的存储单元。既然是触发器，就具备触发器的特征，当电源加上时，输出状态不确定，当断电时，不能保留状态。3．读/写控制电路SRAM存储器的读/写电路如图7-28所示。实际的静态随机存储器图7-29所示的是62256静态随机存储器的符号图。该存储器共有32K?8位存储单元，其内部结构如图7-30所示。图7-32显示的是8051单片机外扩随机存储器62256时的接线图。由图可知，8051单片机的P0口分时输出地址与数据，P2口输出地址高7位，ALE信号控制74LS373锁存地址低8位，读信号RD与写信号WR控制读/写62256。读/写62256的过程与读/写28C64B的过程相同。7.2.2动态随机存储器动态存储器（DRAM）是指存储阵列需要不断刷新保证保存数据不丢失的存储器，原因是使用电容保存数据，所以必须间隔一定时间对其内容进行刷新（充电），否则保存的数据就会丢失。对DRAM来说，每次读取数据实际上是一次放电，读后必须对电容进行充电，保证其保存内容的有效性，即使不对它进行读取，每隔一定的时间也需要对它进行一次刷新。动态存储器简介DRAM存储器的存储单元与SRAM存储单元相比简单得多，是由一个晶体管和电容构成的，由于简单，因此占用很小的芯片面积，使DRAM具有高集成度和低成本的特点。由于要刷新存储单元，所以在DRAM中有刷新电路，另外为节省引脚，DRAM采用复用地址引脚技术，就是先接收行地址，将行地址锁存后再接收列地址的技术。2．存储单元动态存储单元使用电容存储一位二进制数据，优点是比静态存储单元简单，占用芯片面积小，因而可以作成大容量、低价格的存储器。缺点是电容的电荷不能长时间保持，需要周期地刷新才能使数据不丢失，刷新操作需要附加电路而且操作复杂。01图7-33所示的是MOS管和电容组成的动态存储单元。动态存储单元中MOS管相当于开关，控制电容C是否与列线连接。读、写和刷新操作如图7-34所示。02同步动态存储器HY57V641620HY57V641620芯片的存储矩阵分为4个存储体（BANK），每个存储体的容量为4M?16=64M，所以总存储容量为256M，位宽度是16位。同步动态存储器HY57V641620第7章存储器存储器是一种能存储大量二进制信息的电子器件，它是由许多存储单元组成的。每个存储单元都有唯一的地址代码加以区分，能存储1位（或1组）二进制信息，存储器被大量用在嵌入式（单片机）系统中。本章主要介绍只读存储器与随机存储器的结构、工作原理与实际的存储器7.1只读存储器7.1.1只读存储器概述只读存储器（ROM）的特点是存储单元断电后，数据不会丢失。1．不可写入数据的只读存储器（1）二极管ROM以