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第五章输出电压低频电压放大倍数bce+Rb~?+++RcRsC1低频时间常数为:下限(-3dB)频率为:则对数幅频特性对数相频特性因电抗元件引起的相移为附加相移。低频段最大附加相移为+90度第五章三、高频电压放大倍数考虑并联在极间电容的影响,其等效电路:图5.4.4高频等效电路bce+Rb~?+++RcRs(动画avi\5-3.avi)第五章图5.4.4高频等效电路的简化(a)由于输出回路时间常数远小于输入回路时间常数,故可忽略输出回路的结电容。用戴维南定理简化图5.4.4(b)第五章—C?与R?构成RC低通电路。ce+~?++Rc第五章高频时间常数:上限(-3dB)频率为:的对数幅频特性和相频特性高频段最大附加相移为-90度第五章第五章放大电路的频率响应5.1频率响应概述5.2晶体管的高频等效模型5.4单管放大电路的频率响应5.5多级放大电路的频率响应5.3场效应管的高频等效模型5.6集成运放的频率响应和频率补偿单管共射放大电路混合π模型等效电路图、频率响应的表达式及波特图绘制。晶体管、场效应管的混合π模型。本章重点和考点:为什么要讨论频率响应?如何制定一个RC网络的频率响应?如何画出频率响应曲线?什么是放大电路的通频带?哪些因素影响通频带?如何确定放大电路的通频带?对于放大电路,通频带愈宽愈好吗?晶体管与场效应管的h参数等效模型在高频下还适应吗?为什么?如果放大电路的频率响应,应该怎么办?为什么集成运放的通频带很窄?有办法展宽吗?010305020406本章讨论的问题:5.1.1研究放大电路频率响应的必要性5.1频率响应概述由于放大电路中存在电抗性元件及晶体管极间电容,所以电路的放大倍数为频率的函数,这种关系称为频率响应或频率特性。小信号等效模型只适用于低频信号的分析。本章将引入高频等效模型,并阐明放大电路的上限频率、下限频率和通频带的求解方法,以及频率响应的描述方法。第五章5.1.2频率响应的基本概念一、高通电路+_+_CR图5.1.1(a)RC高通电路令:fL称为下限截止频率第五章则有:放大电路的对数频率特性称为波特图。第五章对数幅频特性:实际幅频特性曲线:(a)幅频特性当f≥fL(高频),当ffL(低频),高通特性:且频率愈低,的值愈小,低频信号不能通过。0.1fLfL10fLf0-20-403dB最大误差为3dB,发生在f=fL处20dB/十倍频第五章对数相频特性(a)相频特性5.71o-45o/十倍频fL0.1fL10fL45o90o??0f误差在低频段,高通电路产生0~90°的超前相移。5.71o第五章二、RC低通电路的波特图图5.1.2RC低通电路图+_+_CR令:则:fH称为上限截止频率第五章图5.1.3(b)低通电路的波特图对数幅频特性:0.1fHfH10fHf0-20-403dB-20dB/十倍频对数相频特性:fH10fH-45o5.71o5.71o-45o/十倍频-90o0.1fH??0f在高频段,低通电路产生0~90°的滞后相移。第五章小结(1)电路的截止频率决定于电容所在回路的时间常数τ,即决定了fL和fH。(2)当信号频率等于fL或fH放大电路的增益下降3dB,且产生+450或-450相移。(3)近似分析中,可以用折线化的近似波特图表示放大电路的频率特性。第五章5.2.1晶体管的混合?模型一、完整的混合?模型图5.2.1晶体管结构示意图及混合?模型5.2晶体管的高频等效模型(a)晶体管的结构示意图(b)混合?模型第五章二、简化的混合?模型通常情况下,rce远大于c--e间所接的负载电阻,而rb/c也远大于Cμ的容抗,因而可认为rce和rb/c开路。(b)混合?模型图5.2.2混合?模型的简化(a)简化的混合?模型第五章Cμ跨接在输入与输出回路之间,电路分析变得相当复杂。常将Cμ等效在输入回路和输出回路,称为单向化。单向化靠等效变换实现。图5.2.2简化混合?模型的简化(b)单向化
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