QZAY24-2022 K系数检测系统.pdf

Q/ZAY

杭州中安电子有限公司企业标准

Q/ZAY24—2022

K系数测试系统

2022-11-20发布2022-12-1实施

杭州中安电子有限公司发布

Q/ZAY24—2022

前  言

本标准编写格式依据GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》。本标准

是在国家尚无该产品相关国家标准、行业标准、地方标准的情况下，为保证产品质量，指导企业生产，

根据标准化法、产品质量法及相关法律法规，制定本标准，现就标准编制的有关情况说明如下：

本标准对设备的结构组成、功能指标、出厂要求做了规定。

本标准由杭州中安电子有限公司提出。

本标准起草单位：杭州中安电子有限公司功率器件可靠性研究室、品管部。

本标准主要起草人：柴俊标、吴涓。

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Q/ZAY24—2022

K系数测试系统

1范围

本标准规定了K系数测试系统的定义、产品规格，使用条件，技术要求，试验方法，检验规则，标

志﹑包装﹑运输及储存等内容。

本标准适用于本企业生产的K系数测试系统，类似功能产品参考执行。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文

件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T1.1-2020标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写规则

GB/T191-2008包装储运图示标志

JJF1101-2019环境试验设备温度、湿度参数校准规范

JJF1030-2010恒温槽技术性能测试规范

GJB128A-1997半导体分立器件试验方法

3术语和定义

下列术语和定义适用于本标准。

3.1K系数测试系统

K系数测试系统，是针对各种二极管、三极管、场效应管和IGBT等半导体分立器件的K系数测试专用

设备。

3.2K系数

K系数指器件芯片的温度敏感电学参数，主要应用于功率循环试验，是间接计算半导体分立器件工

作运行过程中结温的重要参数。也叫K因子。

以硅基IGBT为例，芯片的结温一般采用Vce（集电极-发射极电压）进行计算。为便于理解，K系数

测试系统统一将压降用Vj来代替。

计算原理：将DUT在同一温度Ta下放置足够时间至热平衡，此时器件结温与试验腔温度近似相等，

采用低脉冲电流（可忽略其对器件产生的热影响），快速测量器件的压降Vj。再将温度升至Tb值，达