宏盛微半导体HYG090N04NS1C2.pdf

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HYG090N04NS1C2Microelectronics

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

FeaturePinDescription

40V/60A

RDS(ON)=6.3mΩ(typ.)@VGS=10V

100%AvalancheTested

100%DVDS

ReliableandRugged

HalogenFreeandGreenDevicesAvailable

Pin1PDFN8L(5x6)

(RoHSCompliant)

Applications

Switchingapplication

Li-batteryprotection

DC-DCG

Motorcontrol

SingleN-ChannelMOSFET

OrderingandMarkingInformation

PackageCode

C2C2:PDFN8L(5x6)

HYG090N04

XYMXXXXXXDateCode

XYMXXXXXX

Note:HUAYIhalogenfreeproductscontainmoldingcompounds/dieattachmaterialsand100%mattetinplateTermi-

Nationfinish;whicharefullycompliantwithRoHS.HUAYIhalogenfreeproductsmeetorexceedthehalogenfree

require-mentsofIPC/JEDECJ-STD-020forMSLclassificationathalogenfreepeakreflowtemperature.HUAYI

defines“Green”tomeanhalogenfree(RoHScompliant)andhalogenfree(BrorCldoesnotexceed900ppmby

weightinhomogeneousmaterialandtotalofBrandCldoesnotexceed1500ppmbyweight).

HUAYIreservestherighttomakechanges,corr

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