微机原理第三章的课件.pptVIP

*3.3.3可擦除可编程只读ROM（EPROM）2764VppA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GNDVccPGMNCA8A9A11OEA10CED7D6D5D4D312345678910111213142827262524232221201918171615存储容量为8K×828个引脚：13根地址线A12～A08根数据线D7～D0片选CE编程PGM读写OE编程电压VPP*工作方式CEOEPGMA9VPPDO7～DO0读出001×＋5V输出读出禁止011×＋5V高阻维持1×××＋5V高阻编程01负脉冲×＋21V输入编程校验001×＋21V输出编程禁止1×××＋21V高阻2764功能表*微机原理及应用第三章存储器*第3章半导体存储器存储器概述单击此处添加小标题随机存取存储器(RAM)单击此处添加小标题只读存储器(ROM)单击此处添加小标题存储器与CPU的连接单击此处添加小标题*内存储器（半导体存储器）读写存储器RAM只读存储器ROM静态RAM（SRAM）:存取时间为几十纳秒，集成度比较高，每片容量为几KB到几十KB动态RAM（DRAM）:集成度特别高，每片容量为几十MB掩模式ROM：厂家做好后只能读取信息，不能修改可编程PROM：用户可以对其进行一次性写入，一旦写入不能修改可擦写EPROM：用紫外线擦除存储内容，擦除后可以重新写入电擦写E2PROM：用电的方法擦除3.1存储器概述存储器的分类存储器外存储器*半导体存储器的结构存储单元的选择*在内存空间比较大的体系中，由于内存单元较多，即所需存储器芯片较多，往往采用模块化结构。，每个模块由存储接口和存储器芯片组成。同一模块中的存储器芯片可以有若干组，比如，256KB的模块由64组来组成，每一组内有8个4K*1bit的芯片，它组成一个存储矩阵。同一组中的几个芯片总是同时被选中或未被选中，所以它们的片选输入端总是连在一起的。当片选信号有效时，被选中的存储器芯片组就可按8位（1字节）被读出或写入。*存储容量：指能存储的二进制的位数，以bit为单位存储容量=存储单元数*位数8086的存储容量为1MB=1M*8bit存储速度：存取时间Ta：存储器从接收、寻找存储单元的地址码开始到它取出或存入数据为止所需要的时间，是启动一次读出或写入到操作完成所需的时间。存储周期Tmc：指连续启动两次独立的读或写操作所需的最小时间间隔。存储周期略大于存取时间。内存储器的性能指标#2022*内存储器的性能指标功耗：功耗低，0.1mW/位可靠性：指外界电磁干扰及温度变化对存储器的影响，目前所用的半导体存储器芯片的平均故障间隔时间为105-108小时左右集成度：指每一片芯片上能集成多少个基本存储电路，每个基本存储电路存储一个二进制位，所以集成度表示为位/片。*3.2随机存取存储器RAM静态随机存取存储器SRAM一、SRAM工作原理（略）QQDD*二、SRAM举例常用的典型SRAM的芯片有611662646212862256它们的存储容量分别为2K*8bit，8K*8bit，16K*8bit，32K*8bit*1、芯片结构（以6116为例介绍引线功能）A0-A10共11根地址线；D0-D7共8根数据线；CS片选信号：当CS低电平有效时才能选中芯片；OE输出允许信号：当OE为低电平时，才允许芯片将某单元的数据送出；R/W读写控制信号：当R/W=0时，允许将数据写入芯片，当R/W=1时，允许芯片上的数据读出。6116*R/WCSOED7-D000×写入100读出×1×高阻态*R/W2、6116的工作过程写入数据的过程*2、6116的工作过程读出数据的过程R/W0*3、存储器的连接使用对存储器进行读写操作，首先由地址总线给出地址信息，然后发出进行读写操作的控制信号，最后在数据线上进行数据交换，因此存储器的连接要完成:（1）地址线的连接（2）数据线的连接（3）控制线的连接按规