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宏盛微半导体HYG010N03LS1C2.pdf

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    HYG010N03LS1C2

    SingleN-ChannelEnhancementModeMOSFET

    FeaturePinDescription

    30V/170ADDDDDDDD

    RDS(ON)=0.9mΩ(typ.)@VGS=10V

    RDS(ON)=1.4mΩ(typ.)@VGS=4.5V

    100%AvalancheTested

    ReliableandRugged

    Halogen-FreeDevicesAvailable

    SSSGGSSS

    Pin1

    PDFN8L(5X6)

    Applications

    SwitchingApplication

    PowerManagementforDC/DC

    BatteryProtection

    SingleN-ChannelMOSFET

    OrderingandMarkingInformation

    PackageCode

    C2C2:PDFN8L(5X6)

    G010N03

    XYMXXXXXXDateCode

    XYMXXXXXX

    Note:HUAYIlead-freeproductscontainmoldingcompounds/dieattachmaterialsand100%mattetinplateTermi-

    Nationfinish;whicharefullycompliantwithRoHS.HUAYIlead-freeproductsmeetorexceedthelead-Freerequire-

    mentsofIPC/JEDECJ-STD-020forMSLclassificationatlead-freepeakreflowtemperature.HUAYIdefines“Green”

    tomeanlead-free(RoHScompliant)andhalogenfree(BrorCldoesnotexceed900ppmbyweightinhomogeneous

    materialandtotalofBrandCldoesnotexceed1500ppmbyweight).

    HUAYIreservestherighttomakechanges,corrections,enhancements,modifications,andimprovementstothispr

    -oductand/ortothisdocumentatanytimewithoutnotice.

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