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中国功率半导体分立器件行业市场全景评估及未来投资趋势预测报告（智研咨询）

内容概况：MOSFET和IGBT为功率半导体产品主力。目前，MOSFET和IGBT被广泛应用于消费电子、新能源汽车及光伏等领域。MOSFET具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单和辐射强等优点，通常被用于放大电路或开关电路。当前，MOSFET应用前景广阔，市场规模不断增长。2023年中国MOSFET市场规模约为56.6亿美元。IGBT由BJT和MOSFET组合而成且兼具两者优点，即高输入阻抗、低导通压降、驱动功率小而饱和压降低等。当前，IGBT国产化率较低，但伴随国内市场新能源、光伏等下游行业的发展和国内产业链自主可控的要求，国产化率将进一步提升。数据显示，2023年中国IGBT市场规模约为30亿美元。

关键词：功率半导体分立器件、市场规模、MOSFET、IGBT

一、功率半导体分立器件行业概述

功率半导体分立器件是电子技术中的核心组件，它们在实现电能的变换或控制方面发挥着至关重要的作用。功率半导体分立器件包括像二极管、晶闸管、功率晶体管等元件。这些器件能够处理高电压和大电流，并在各种电子装置中改变电压和频率，无论是直流还是交流电都适用。它们的主要功能可以分为功率转换、放大、开关、线路保护和整流等几大类。

功率半导体分立器件的分类

功率半导体分立器件行业的发展历程深厚且久远，可回溯至20世纪初期，其间的技术革新与市场应用拓展经历了多个重要阶段。在20世纪50年代，功率二极管和功率三极管的诞生及其在工业和电力系统中的广泛应用，标志着行业的初步形成。随后，自20世纪60至70年代起，晶闸管等功率半导体器件的快速技术革新推动了行业的显著发展。临近70年代末期，平面型功率MOSFET的出现，预示着功率半导体分立器件行业进入了一个全新的发展阶段。而在20世纪80年代后期，随着沟槽型功率MOSFET和IGBT等创新技术的相继推出，功率半导体器件在电子领域的应用愈发广泛，开启了现代电子应用的新纪元。技术的持续进步使得20世纪90年代超结MOSFET诞生，打破了传统“硅限”，满足了高功率和高频化的应用需求。进入21世纪，全新宽禁带材料的出现将功率半导体的性能和市场需求推向了新的高度，显著提升了功率半导体分立器件的性能和效率，推动了其在多个领域的应用。尽管中国功率半导体分立器件行业的发展起步相对较晚，但近年来在政策支持、市场需求以及技术进步的共同推动下，取得了显著进展。目前，中国功率半导体分立器件行业已经取得了不俗的成就，并在全球市场中占据了一席之地。

功率半导体分立器件行业发展历程

二、功率半导体分立器件行业政策

半导体产业是我国支柱产业之一，功率半导体分立器件行业是半导体产业的重要组成部分。发展我国功率半导体分立器件相关产业，提升国内功率半导体分立器件研发生产能力是我国成为世界半导体制造强国的必由之路。2024年1月，工信部等七部门印发《关于推动未来产业创新发展的实施意见》，提出要推动有色金属、化工、无机非金属等先进基础材料升级，发展高性能碳纤维、先进半导体等关键战略材料，加快超导材料等前沿新材料创新应用。2024年3月，河南省人民政府办公厅印发《河南省加快制造业“六新”突破实施方案》，提出要加快布局发展氮化镓、碳化硅、磷化铟等半导体材料，开发Micro—LED（微米发光二极管）、OLED（有机发光二极管）用新型发光材料，薄膜电容、聚合物铝电解电容等新型电子元器件材料，电子级高纯试剂和靶材、封装用键合线、电子级保护及结构胶水等工艺辅助及封装材料。

中国功率半导体分立器件行业相关政策

三、功率半导体分立器件行业产业链

功率半导体分立器件产业链上游为原材料和设备，主要包括晶圆、光刻机、引线框架、宽禁带材料及其他辅助材料；产业链中游为功率半导体分立器件的生产制造；产业链下游为应用市场，包括消费电子、家用电器、工业控制、网络通信、军工航空、轨道交通、光伏风电、智能电网、充电桩等。

功率半导体分立器件行业产业链

相关报告：智研咨询发布的《中国功率半导体分立器件行业市场全景调研及投资前景研判报告》

四、功率半导体分立器件行业发展现状

功率半导体又称电力电子器件或功率电子器件，是电子产业链中最核心的器件之一，能够实现电能转换和电路控制，在电路中主要起着功率转换、功率放大、功率开关、线路保护、逆流及整流等作用。数据显示，2023年中国功率半导体市场规模约为198亿美元。中国作为全球最大的功率半导体消费国，贡献了约40%的功率半导体市场。

2017-2023年中国功率半导体行业市场规模变化情况

功率半导体包括功率半导体分立器件（含模块）以及功率IC等。其中，功率器件包括功率分立器件和功率模块，细分来看，分立器件和功率模块中占比最大的是MOSFET和IGBT模块，占比分别为39