SMP858-DST单晶硅双法兰差压变送器.pdf

SENSINGTOMORROW

智感未来SMP858-DST单晶硅差压变送器

产品概述

简介

单晶硅压力变送器

LEEG单晶硅压力变送器采用单晶硅技术压力传感器，单晶硅压力传感器位于金属本体顶部，远离介质接触面，实现机械隔离

和热隔离，玻璃烧结一体的传感器引线与金属基体的高强度电气绝缘，提高了电子线路的灵活性能与耐瞬变电压保护的能力，可

应对复杂的化学场合和机械负荷，同时具备较强的电磁干扰能，适合苛刻的流程工业环境中压力、液位或流量测量应用。

主要参数应用场合

压力类型差压压力、液位、差压、密度、界面、流量

量程范围10kPa-1MPa，详见选型表

输出信号4-20mA、4-20mA+HART、Modbus-

RTU/RS485及其它认证

参考精度±0.2%量程上限，最大±0.5%量程上限，详见

规格参数

RoHS

测量介质

与接触材质兼容的流体

免责声明：所有数据仅用于产品说明，不具法律约束力。相关技术细节可能因进一步改善而有所变更

2020.08.V1.0.1.

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智感未来SMP858-DST单晶硅差压变送器

规格参数

量程及范围极限

标称量程最小量程量程下限（LRL）量程上限（URL）静压范围*单向高压端过载*单向低压端过载*

40kPa4kPa-40kPa40kPa40MPa25MPa16MPa

250kPa25kPa-250kPa250kPa40MPa25MPa500kPa

1MPa100kPa-500kPa1MPa40MPa25MPa500kPa

设置高、低限值要求：低限值（LRV）与高限值（URV）在量程上下限范围内取值，当｜URV｜≥｜LRV｜时，须满足｜URV｜≥最小

量程；当｜URV｜≤｜LRV｜时，须满足｜LRV｜≥最小量程

*过压限定值：取决于承压能力最弱部件的压力值，此过载压力为传感器所能承受的最大压力，而非产品本身所能承受的最大压力

性能测试标准及基准条件静压影响

测试标准：GB/T28474/IEC60770；基准条件：从零点开零点影响±0.15TD%量程上限/4MPa

始的量程；硅油充液，316L不锈钢隔离膜片，4-20mA模拟满量程影响±0.2%量程上限/4MPa

输出，端基微调至设定值

电源影响

性能指标

当供电电压在10.5/16.5-55VDC内变化，其零点和量程的

总体性能包括并不限于【参考精度】、【环境温度影响】、变化应不超过±0.005%量程上限/V

【静压影响】、和其它影响的综合误差

典型精度：±0.2%量程上限

年稳定性：±0.2%量程上限/5年