宏盛微半导体HY030N06C2.pdf

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HY030N06C2

SingleN-ChannelEnhancementModeMOSFET

FeaturePinDescription

65V/100A

DDDDDDDD

RDS(ON)=2.4mΩ(typ.)@VGS=10V

RDS(ON)=3.7mΩ(typ.)@VGS=4.5V

100%AvalancheTested

ReliableandRugged

Halogen-FreeDevicesAvailableSSSGGSSS

Pin1

PPAK5*6-8L

Applications

Hardswitchedandhighfrequencycircuits

Powerswitchingapplication

Uninterruptiblepowersupply

SingleN-ChannelMOSFET

OrderingandMarkingInformation

PackageCode

C2C2:PPAK5*6-8L

HY030N06

YYXXXLWWGDateCodeAssemblyMaterial

YYXXXLWWGG:Halogen-Free

Note:HUAYIlead-freeproductscontainmoldingcompounds/dieattachmaterialsand100%mattetinplateTermi-

Nationfinish;whicharefullycompliantwithRoHS.HUAYIlead-freeproductsmeetorexceedthelead-Freerequire-

mentsofIPC/JEDECJ-STD-020forMSLclassificationatlead-freepeakreflowtemperature.HUAYIdefines“Green”

tomeanlead-free(RoHScompliant)andhalogenfree(BrorCldoesnotexceed900ppmbyweightinhomogeneous

materialandtotalofBrandCldoesnotexceed1500ppmbyweight).

HUAYIreservestherighttomakechanges,corrections,enhancements,modific

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