宏盛微半导体HY030N06P.pdf

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HY030N06P/MF/PS

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

FeaturePinDescription

65V/140A

RDS(ON)=2.4mΩ(typ.)@VGS=10V

RDS(ON)=3.7mΩ(typ.)@VGS=4.5V

100%AvalancheTested

ReliableandRugged

Lead-FreeDevicesAvailableGDSGDSGDS

(RoHSCompliant)TO-220FB-3LTO-3PS-3LTO-220MF-3L

Applications

Switchingapplication

Powermanagementforinvertersystems

N-ChannelMOSFET

OrderingandMarkingInformation

PackageCode

PMFPSP:TO-220FB-3LMF:TO-220MF-3L

HY030N06HY030N06HY030N06PS:TO-3PS-3L

YYXXXJWWGYYXXXJWWGYYXXXJWWG

DateCodeAssemblyMaterial

YYXXXWWG:LeadFree

Note:HUAYIlead-freeproductscontainmoldingcompounds/dieattachmaterialsand100%mattetinplateTermi-

Nationfinish;whicharefullycompliantwithRoHS.HUAYIlead-freeproductsmeetorexceedthelead-Freerequire-

mentsofIPC/JEDECJ-STD-020forMSLclassificationatlead-freepeakreflowtemperature.HUAYIdefines“Green”

tomeanlead-free(RoHScompliant)andhalogenfree(BrorCldoesnotexceed900ppmbyweightinhomogeneous

materialandtotalofBrandCldoesnotexceed1500ppmbyweight).

HUAYIreservestherighttomakechanges,corrections,enhancements,modifications,andimprovementstothispr

-oductand/ortothisdocumentatanytimew

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