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附录A
（资料性附录）
常见的单粒子效应及相关术语和定义
常见的单粒子效应及相关术语和定义包括：
a)单粒子翻转single-eventupset（SEU）
单个高能粒子入射引起器件逻辑状态由“1”变为“0”或由“0”变为“1”现象。
b)单粒子闩锁single-eventlatchup（SEL）
单个高能粒子入射引起器件内部寄生的可控硅结构（SCR）被触发导通，导致器件出现低阻抗、高
电流密度现象。
c)单粒子功能中断single-eventfunctionalinterrupt（SEFI）
单个高能粒子入射引起器件功能忽然失效现象。
d)单粒子烧毁single-eventburnout（SEB）
单个高能粒子入射功率MOSFET等器件，引起器件内部的寄生晶体管触发导通，造成漏极出现大电
流状态，导致器件烧毁的现象。
e)单粒子栅穿single-eventgaterupture（SEGR）
单个高能粒子入射功率MOSFET等器件，引起器件栅绝缘层被击穿而导致器件失效的现象。
f)单粒子瞬态single-eventtransient（SET）
单个高能粒子入射模拟集成电路或混合信号集成电路，导致器件输出信号发生瞬时波动的现象。
g)注量率flux
2
单位时间内、单位面积上垂直入射的高能粒子数，单位为ions/(cm·s)。
h)注量fluence
2
高能粒子辐照时间与注量率的乘积，单位为ions/cm。
i)线性能量传输linearenergytransfer（LET）
高能粒子穿过材料时沿入射径迹在单位长度上沉积的能量，也称为材料的阻止本领，单位为
2
MeV·cm/mg。
j)有效LETeffectiveLET
高能粒子沿与器件表面法线方向成一定角度倾斜入射时在单位长度上沉积的能量。通过倾斜入射可
以增加高能粒子在材料中沉积的能量。
k)LET阈值thresholdLET
给定注量下高能粒子沿器件表面法线方向垂直入射时引起单粒子效应所需的最小LET值。
l)单粒子效应截面crosssection
22
单位注量粒子引起的单粒子效应发生次数，单位为cm/device或cm/bit。
m)单粒子效应饱和截面saturatedorlimitingcrosssection
增加入射粒子的LET值，单粒子效应发生次数不再增加时所对应的单粒子效应截面。
7
附录B
（资料性附录）
宇航用元器件空间辐射效应敏感性分类
常见的宇航用集成电路、半导体分立器件、光电子器件各自敏感的空间辐射效应分别见表B.1、表
B.2和表B.3。
表B.1常见集成电路敏感的空间辐射效应种类
大类中类小类细类敏感的辐射效应类型
TTL电路（包括LSTTL、ALSTTL、ASTTL
电离总剂量效应
等系列）
数字集成电路
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