场效应管放大电路课件.pptVIP

*Note:公司與實驗室產品的交叉強調兩位一體等*Note:公司與實驗室產品的交叉強調兩位一體等*Note:公司與實驗室產品的交叉強調兩位一體等*Note:公司與實驗室產品的交叉強調兩位一體等場效應管放大電路場效應管：輸入電阻高（電壓控制型器件），穩定性好結型場效應管絕緣柵型場效應管一、絕緣柵型場效應管（MOS管）Metal-OxideSemiconductor(金屬氧化物半導體)1、N溝道增強型絕緣柵型場效應管P型矽襯底SGD(1)結構及原理以P型矽為襯底，在其表面上覆蓋一層SiO2作絕緣層，再在該層上刻出兩個窗口，形成兩個高摻雜的N型區（用N+表示）在兩個N型區上分別引出源極S和漏極D，同時在D與S之間的SiO2表面製作一個金屬電極——柵極GSiO2層GSDGateDrainSource當UGS=0時，無論加上什麼樣的UDS，D、S之間總有一個PN結反偏，因此ID=0GSD顯而易見，D、S之間形成了兩個背靠背的PN結IDSDNPNP型矽襯底SGDSDNPN當UDS=0，UGS0時，柵極的金屬板與P型矽襯底之間形成了一平板電容器。由於絕緣層（SiO2）很薄，很小的UGS就能產生很強的電場（方向垂直向下），該電場吸引P型矽襯底中的電子（少子）到表層，與空穴複合形成由負離子組成的耗盡層P型矽襯底SGD耗盡層___P型矽襯底SGD___耗盡層如果增強UGS即增強電場，由於吸引了更多的電子，在耗盡層與SiO2之間形成一個N型層——反型層該反型層即為溝通源區與漏區的N型導電溝道。把開始形成導電溝道時所需的UGS稱為開啟電壓UGS（th)N溝道P型矽襯底SGDN溝道導電溝道形成後，加上一定的UDS將產生ID（管子導通）ID注意此時IG=0IGA、轉移特性曲線（2）特性曲線UGS（V）ID/mAUDS=常數2UGS（th）無有溝道481216GSDIDUGS（V）ID/mAUDS=常數2UGS（th）481216UGS對ID控制作用可用gm表示gm稱為場效應管的跨導。即為曲線上工作點的切線的斜率B、輸出特性曲線UGS=3V4V5V6VUDS/VID/mA4812164812I區II區II區為放大區GSDID2、N溝道耗盡型絕緣柵型場效應管GSDP型矽襯底SGD+++N溝道通過一定工藝使管子本身就具有一定的導電溝道轉移特性曲線UGS/VID/mAUGS（off）-4IDSSUGS（off）——夾斷電壓IDSS——零偏電流該類管子一般工作在負柵源電壓(UGS(off)UGS0)狀態下GSD輸出特性曲線UGS=0V-1V1V2VUDS/VID/mA4812164812I區II區II區為放大區增強型與耗盡型的區別：有無原始導電溝道UGS/VID/mAUGS（off）-4IDSSGSDUGS（th）UGS（V）ID/mA2481216GSDP溝道型場效應管則採用N型矽作襯底，原理完全類似於N型場效應管GSDP溝道增強型GSDP溝道耗盡型UGSIDUGS（th）UGSIDUGS（off）IDSS雙極型；單極型流控；壓控輸入電阻低；高熱穩定性差；好三極管與場效應管的比較：三極管場效應管2.6.2場效應管放大電路共源(共射)共漏(共集)BECGSDGBSEDCGSD一般將襯底和S極相連GSDP型