常用半导体器件课件.pptVIP

每字段是一只發光二極體—低電平驅動數碼管1.共陽極abcdefg—高電平驅動2.共陰極abcdefgaebcfgdcomcom二、光電二極體1．符號和特性符號特性uiO暗電流E=200lxE=400lx工作條件：反向偏置2.主要參數電學參數：暗電流，光電流，最高工作範圍光學參數：光譜範圍，靈敏度，峰值波長三、變容二極體工作條件：反向偏置特點：是結電容隨反偏電壓的變化而變化主要用在電視機、答錄機、收錄機的調諧電路和自動微調電路中。四、穩壓二極體穩壓管是一種特殊的面接觸型半導體矽二極體。符號工作條件：反向擊穿I/mAUZ/VOUZIZIZM+?正向?+反向?UZ?IZ討論穩壓管是怎麼實現穩壓作用的？回顧二極體的反向擊穿時特性：當反向電壓超過擊穿電壓時，流過管子的電流會急劇增加。擊穿並不意味著管子一定要損壞，如果我們採取適當的措施限制通過管子的電流，就能保證管子不因過熱而燒壞。在反向擊穿狀態下，讓流過管子的電流在一定的範圍內變化，這時管子兩端電壓變化很小，利用這一點可以達到“穩壓”的效果。穩壓二極體的主要參數1.穩定電壓UZ流過規定電流時穩壓管兩端的反向電壓值。2.穩定電流IZ越大穩壓效果越好，小於Imin時不穩壓。3.最大工作電流IZMPZM=UZIZM5.動態電阻rZrZ=?UZ/?IZ越小穩壓效果越好。4.最大耗散功率PZM學習與探討怎樣用萬用表測量二極體的好壞？怎樣判斷其陰極和陽極？為什麼發光二極體必須正向偏置，而光電二極體卻要反向偏置？已知兩只矽穩壓管的穩定電壓值分別為8V和7.5V，若將它們串聯使用，問能獲得幾組不同的穩定電壓值？若並聯呢？6.2三極管6.2.1三極管的結構和分類6.2.2電流分配與放大原理6.2.3三極管的伏安特性及主要參數6.2.1三極管的結構和分類電晶體（三極管）是最重要的一種半導體器件。部分三極管的外型一、結構N型矽BECN型矽P型矽（a）平面型二氧化矽保護膜N型鍺ECBPP（b）合金型銦球銦球三層半導體材料構成NPN型、PNP型NNP發射極E基極B集電極C發射結集電結—基區—發射區—集電區emitterbasecollectorNPN型ECB各區主要作用及結構特點：發射區：作用：發射載流子特點：摻雜濃度高基區：作用：傳輸載流子特點：薄、摻雜濃度低集電區：作用：接收載流子特點：面積大常見三極管的類型PPNEBC按材料分：矽管、鍺管按結構分：NPN、PNP按使用頻率分：低頻管、高頻管按功率分：小功率管500mW中功率管0.5?1W大功率管1WECBPNP型二、類型6.2.2電流分配與放大原理一、電晶體放大的條件1.內部條件發射區摻雜濃度高基區薄且摻雜濃度低集電結面積大2.外部條件發射結正偏集電結反偏二、電晶體的電流分配和放大作用實驗電路mAmAICECIBIERBEBCEB3DG6?A電路條件:ECEB發射結正偏集電結反偏mAmAICECIBIERBEBCEB3DG6?A1.測量結果IB/mA00.010.020.030.040.05IC/mA?0.0010.501.001.602.202.90IE/mA?0.0010.511.021.632.242.95IC/IB5050535558?IC/?IB50606070(1)符合KCL定律(2)IC和IE比IB大得多(3)IB很小的變化可以引起IC很大的變化。即：基極電流對集電極電流具有小量控制大量的作用，這就是電晶體的放大作用。常用半導體器件6.1.1半導體概述半導體—導電能力介於導體和絕緣體之間的物質。本征半導體—純淨的半導體。如矽、鍺單晶體。載