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探寻宽禁带电力电子器件在低温磁场下的物理特性与机理：理论、实验与应用洞察

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代科技的飞速发展，电力电子技术在众多领域中扮演着愈发关键的角色，从日常生活中的电子设备，到工业生产中的大型电力系统，再到航空航天、新能源汽车等高端领域，都离不开电力电子器件的支持。在这些应用场景中，宽禁带电力电子器件凭借其独特的物理特性，逐渐崭露头角，成为了推动电力电子技术发展的核心力量。

与传统的硅基电力电子器件相比，宽禁带电力电子器件，如碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等，具有禁带宽度宽、击穿场强高、热导率高、电子饱和漂移速度快等显著优势。这些优势使得宽禁带电力电子器件能够在