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天津工业大学2025年半导体器件物理期末试卷(含答案)
〔1〕简要说明：
①p-n结的势垒高度与温度和掺杂浓度的关系分别怎样？为什么？②p-n结的势垒宽度与温度和掺杂浓度的关系分别怎样？为什么？
*〔2〕对于抱负p-n结：
①示意画出少数载流子的浓度分布。②假设p-n结两边的掺杂浓度
分别为NA和ND，少数载流子的集中长度分别为Ln和Lp，试简洁导出该p-n结的电流-电压关系〔伏安特性〕。③简要说明:为什么正向电流与电压有指数函数关系？为什么
反向电流与电压无关？
对于实际的Si/p-n结：
①正向电流和反向电流分别主要包含哪些不同性质的电流重量？
②正向电
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