常用半导体器件课件.pptVIP

1.3.4電晶體的主要參數前面的電路中，三極管的發射極是輸入輸出的公共點，稱為共射接法，相應地還有共基、共集接法。共射直流電流放大倍數：工作於動態的三極管，真正的信號是疊加在直流上的交流信號。基極電流的變化量為?IB，相應的集電極電流變化為?IC，則交流電流放大倍數為：1.電流放大倍數和?例：UCE=6V時：IB=40?A,IC=1.5mA；IB=60?A,IC=2.3mA。在以後的計算中，一般作近似處理：?=2.集-基極反向截止電流ICBO?AICBOICBO是集電結反偏由少子的漂移形成的反向電流，受溫度的變化影響。BECNNPICBOICEO=?IBE+ICBOIBE?IBEICBO進入N區，形成IBE。根據放大關係，由於IBE的存在，必有電流?IBE。集電結反偏有ICBO3.集-射極反向截止電流ICEOICEO受溫度影響很大，當溫度上升時，ICEO增加很快，所以IC也相應增加。三極管的溫度特性較差。4.集電極最大電流ICM集電極電流IC上升會導致三極管的?值的下降，當?值下降到正常值的三分之二時的集電極電流即為ICM。5.集-射極反向擊穿電壓當集---射極之間的電壓UCE超過一定的數值時，三極管就會被擊穿。手冊上給出的數值是25?C、基極開路時的擊穿電壓U(BR)CEO。6.集電極最大允許功耗PCM集電極電流IC流過三極管，所發出的焦耳熱為：PC=ICUCE必定導致結溫上升，所以PC有限制。PC?PCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作區§1.4場效應電晶體場效應管與雙極型電晶體不同，它是多子導電，輸入阻抗高，溫度穩定性好。結型場效應管JFET絕緣柵型場效應管MOS場效應管有兩種:N基底：N型半導體PP兩邊是P區G(柵極)S源極D漏極一、結構1.4.1結型場效應管:導電溝道NPPG(柵極)S源極D漏極N溝道結型場效應管DGSDGSPNNG(柵極)S源極D漏極P溝道結型場效應管DGSDGS§1.2半導體二極體1.2.1基本結構PN結加上管殼和引線，就成為半導體二極體。引線外殼線觸絲線基片點接觸型PN結面接觸型PN二極體的電路符號：1.2.2伏安特性UI死區電壓矽管0.6V,鍺管0.2V。導通壓降:矽管0.6~0.7V,鍺管0.2~0.3V。反向擊穿電壓UBR1.2.3主要參數1.最大整流電流IOM二極體長期使用時，允許流過二極體的最大正向平均電流。2.反向擊穿電壓UBR二極體反向擊穿時的電壓值。擊穿時反向電流劇增，二極體的單向導電性被破壞，甚至過熱而燒壞。手冊上給出的最高反向工作電壓UWRM一般是UBR的一半。3.反向電流IR指二極體加反向峰值工作電壓時的反向電流。反向電流大，說明管子的單向導電性差，因此反向電流越小越好。反向電流受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。矽管的反向電流較小，鍺管的反向電流要比矽管大幾十到幾百倍。以上均是二極體的直流參數，二極體的應用是主要利用它的單向導電性，主要應用於整流、限幅、保護等等。下麵介紹兩個交流參數。1.2.4二極體的等效電路1）微變電阻rDiDuDIDUDQ?iD?uDrD是二極體特性曲線上工作點Q附近電壓的變化與電流的變化之比：顯然，rD是對Q附近的微小變化區域內的電阻。2）二極體的極間電容二極體的兩極之間有電容，此電容由兩部分組成：勢壘電容CB和擴散電容CD。勢壘電容：勢壘區是積累空間電荷的區域，當電壓變化時，就會引起積累在勢壘區的空間電荷的變化，這樣所表現出的電容是勢壘電容。擴散電容：為了形成正向電流（擴散電流），注入P區的少子（電子）在P區有濃度差，越靠近PN結濃度越大，即在P區有電子的積累。同理，在N區有空穴的積累。正向電流大，積累的電荷多。這樣所產生的電容就是擴散電容CD。P+-NCB在正向和反向偏置時均不能忽略。而反向偏置時，由於載流子數目很少，擴散電容可忽略。PN結高頻小信號時的等效電路：勢壘電容和擴散電容的綜合效應rd二極體：死區電壓=0.5V，正向壓降?0.7V(矽二極體)理想二極體：死區電壓=0，正向壓降=0RLuiuouiuott二極體的應用舉例1：二極體半波整流二極體的應用舉例2：tttuiuRuoRRLuiuRuo1.2.5穩壓二極體UII