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微机原理第三章的课件.pptxVIP

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无标题;微机原理及应用第三章存储器;第3章半导体存储器*21;3.1存储器概述*内存储器(;半导体存储器的结构*存储单元的;在内存空间比较大的体系中,由于;内存储器的性能指标*存储容量=;内存储器的性能指标*功耗:功;3.2随机存取存储器RAM静;二、SRAM举例*A常用的典型;*1、芯片结构(以6116为例;R/WCSOED7-D000×;2、6116的工作过程写入数据;2、6116的工作过程读出数据;3、存储器的连接使用*对存储器;6116的连接*D0~D7A0;*全地址译码 用全部的高位地址;*部分地址译码 用部分高位地址;3-8译码器*G1G2AG2B;*应用举例:6264与系统的连;动态随机存取存储器DRAM*电;DRAM的基本存储单元是单个场;2.简单DRAM芯片举例21;RAS:行地址选通信号。低电平;DRAM的工作过程*01读出数;DRAM2164的读出过程*;DRAM2164的写入过程*;3.3只读存储器ROM*掩膜;可编程只读ROM(PROM)*;*3.3.3可擦除可编程只读;2764功能表*工作方式CEO;电可擦除可编程只读ROM(E2;1存储器字数单片存储器字数2存;*一、位扩展(只加大位长,存储;例:假设用8K*2bit的RA;*二、字扩展(只加大字长,存储;例:用几片6116(2K*8b;三、字位同时扩展*用16K×4;...00001H00003H;无标题;*用两片6116(2K*8bi;*例1:用2K×8bit的61

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