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医疗器械中级专业知识(医用放射、影像类仪器)模考试题+参考答案.docxVIP

医疗器械中级专业知识(医用放射、影像类仪器)模考试题+参考答案.docx

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医疗器械中级专业知识(医用放射、影像类仪器)模考试题+参考答案

一、单选题

1.X线产生过程中,电子高速运动所需能量主要取决于

A.靶物质原子序数

B.管电流

C.管电压

D.旋转阳极转速

E.灯丝焦点大小

答案:C

解析:管电压决定了电子高速运动的能量,管电压越高,电子获得的能量越大,撞击靶物质时产生X线的能量和强度也越大。

2.CT扫描中,关于矩阵的叙述,错误的是

A.矩阵是二维排列的象素阵列

B.矩阵大小表示单位面积象素数量

C.矩阵大,图象空间分辨率高

D.矩阵与象素大小成反比

E.矩阵在CT机中是固定不变的

答案:E

解析:矩阵大小可以根据需要进行调整,不是固定不变的。矩阵越大,像素越多,图像空间分辨率越高。

3.磁共振成像(MRI)设备中,主磁体的作用是

A.产生射频脉冲

B.产生梯度磁场

C.提供稳定的静磁场

D.接收磁共振信号

E.对信号进行处理和图像重建

答案:C

解析:主磁体的主要作用是提供一个稳定的静磁场,使人体组织中的氢原子核发生磁化。

4.以下关于超声诊断仪的说法,错误的是

A.超声换能器是将电能转换为声能的装置

B.超声诊断仪的工作频率越高,穿透深度越大

C.增益调节可改变图像的亮度和对比度

D.动态范围是指超声诊断仪可检测的最大和最小回声信号的比值

E.超声诊断仪的分辨力包括轴向分辨力和侧向分辨力

答案:B

解析:超声诊断仪的工作频率越高,穿透深度越小,但纵向分辨力越高。

5.数字减影血管造影(DSA)的关键技术是

A.影像增强技术

B.计算机图像处理技术

C.摄影技术

D.电视监视技术

E.对比剂注射技术

答案:B

解析:DSA通过计算机图像处理技术,将造影剂注入前后的图像进行相减处理,从而突出显示血管的形态和血流情况。

6.乳腺钼靶摄影常用的管电压范围是

A.20~25kV

B.25~35kV

C.35~45kV

D.45~55kV

E.55~65kV

答案:B

解析:乳腺钼靶摄影使用较低的管电压(25~35kV),以提高乳腺组织的对比度。

7.以下哪种设备不属于核医学成像设备

A.SPECT

B.PET

C.γ相机

D.CT

E.正电子发射断层显像仪

答案:D

解析:CT是利用X线进行成像的设备,不属于核医学成像设备。SPECT、PET、γ相机等是核医学常用的成像设备。

8.医用直线加速器主要用于

A.超声诊断

B.放射治疗

C.核医学检查

D.磁共振成像

E.X线摄影

答案:B

解析:医用直线加速器是放射治疗的主要设备,通过产生高能X线或电子线来治疗肿瘤。

9.影像增强器的输入屏主要由以下哪种材料制成

A.碘化铯

B.硫氧化钆

C.碘化钠

D.钨酸钙

E.氟氯化钡

答案:A

解析:影像增强器的输入屏主要由碘化铯制成,它可以将X线转换为可见光。

10.CT图像的窗宽主要影响图像的

A.对比度

B.亮度

C.空间分辨率

D.时间分辨率

E.密度分辨率

答案:A

解析:窗宽是指CT图像上所包含的CT值范围,窗宽越大,图像的对比度越低;窗宽越小,图像的对比度越高。

11.超声探头的频率与以下哪个因素有关

A.探头的直径

B.探头的材料

C.探头的形状

D.探头的厚度

E.探头的工作模式

答案:D

解析:超声探头的频率与探头的厚度有关,厚度越薄,频率越高。

12.以下关于MRI检查禁忌证的说法,错误的是

A.体内有金属植入物者不能做MRI检查

B.装有心脏起搏器者禁忌做MRI检查

C.幽闭恐惧症患者不宜做MRI检查

D.孕妇不能做MRI检查

E.有严重心肺功能不全者需谨慎做MRI检查

答案:D

解析:一般来说,怀孕3个月以内不建议做MRI检查,但怀孕3个月以后,在必要情况下可以在医生评估后进行MRI检查。

13.数字X线摄影(DR)与传统X线摄影相比,其优点不包括

A.图像分辨率高

B.辐射剂量低

C.可进行图像后处理

D.成像速度快

E.可动态观察

答案:E

解析:DR主要用于静态图像的采集,不能像动态造影等检查那样进行动态观察。

14.SPECT检查中,放射性药物的作用是

A.提供能量使原子核发生跃迁

B.作为示踪剂,显示体内组织器官的功能和代谢情况

C.产生X线

D.增强磁场强度

E.提高图像的对比度

答案:B

解析:放射性药物注入人体后,会随血液循环分布到特定的组织器官,通过SPECT检测其放射性分布,从而显示组织器官的功能和代谢情况。

15.以下哪种探测器常用于CT设备

A.闪烁探测器

B.气体探测器

C.半导体

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