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试验十九阻变存储器电阻开关特性的测量与分析
一、 试验目的
把握阻变存诸器〔resistiverandomaccessmemory，ReRAM〕原型器件的根本构造，了解其存储原理。
学会使用Keithley2400源-测单元来测量阻变存储单元的电流一电压特性，并进展定性的分析。
二、试验原理概述
随着集成电路的技术节点不断向前推动，目前国际上非易失性存储技术争论的走势主要是两个大方向：一是尽可能将目前的主流Flash技术向更高技术代(45nm甚至32nm)推动，纳米晶存储解决方案就是其代表。另一个争论趋势就是在Flash技术到达其物理极限而无法连续推动后，承受完全不
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