宏盛微半导体HYG200N12NS1D.pdf

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HYG200N12NS1D

SingleN-ChannelEnhancementModeMOSFET

FeaturePinDescription

120V/47A

RDS(ON)=15.5mΩ(typ.)@VGS=10V

100%AvalancheTested

ReliableandRugged

Halogen-FreeDevicesAvailable

(RoHSCompliant)

TO-252-2L

Applications

SynchronousRectification

PowerDelivery

HornCoupling

SingleN-ChannelMOSFET

OrderingandMarkingInformation

PackageCode

DD:TO-252-2L

G200N12

XYMXXXXXXDateCode

XYMXXXXXX

Note:HUAYIlead-freeproductscontainmoldingcompounds/dieattachmaterialsand100%mattetinplateTermi-

Nationfinish;whicharefullycompliantwithRoHS.HUAYIlead-freeproductsmeetorexceedthelead-Freerequire-

mentsofIPC/JEDECJ-STD-020forMSLclassificationatlead-freepeakreflowtemperature.HUAYIdefines“Green”

tomeanlead-free(RoHScompliant)andhalogenfree(BrorCldoesnotexceed900ppmbyweightinhomogeneous

materialandtotalofBrandCldoesnotexceed1500ppmbyweight).

HUAYIreservestherighttomakechanges,corrections,enhancements,modifications,andimprovementstothispr

-oductand/ortothisdocumentatanytimewithoutnotice.

V1.0

HYG200N12NS1D

AbsoluteMaximumRatings

SymbolParameterRatingUnit

CommonRatings

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