《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率器件开关动态测试方法》.pdfVIP

ICS31.080

CCSL40/49

团体标准

T/CASAS033—2024

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

（SiCMOSFET）功率器件开关动态

测试方法

Switchingdynamictestmethodforsilliconcarbidemetal‑oxidesemiconductor

filedeffecttransistors(SiCMOSFET)powerdevice

2024‑11‑19发布2024‑11‑19实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

中国标准出版社出版

T/CASAS033—2024

目次

前言……………………………Ⅲ

引言……………………………Ⅳ

1范围…………………………1

2规范性引用文件……………1

3术语和定义…………………1

4符号和缩略语………………2

5测试电路与测试条件………………………2

5.1测试电路………………2

5.2测试条件………………3

5.2.1测试环境…………………………3

5.2.2直流电源…………………………4

5.2.3直流母线…………………………4

5.2.4钳位电感…………………………4

5.2.5驱动电路…………………………5

5.2.6温控平台…………………………7

5.2.7脉冲发生器………………………7

5.3其他事项………………7

6测试仪器与测试方法………………………8

6.1测试仪器………………8

6.1.1测试系统…………………………8

6.1.2电压探头…………………………8

6.1.3电流探头…………………………9

6.1.4示波器……………9

6.1.5同轴电缆…………………………9

6.2测试方法………………9

7测试结果与计量方法………………………10

7.1测试结果记录………