宏盛微半导体HYG170N03LR1C2.pdf

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HYG170N03LR1C2

SingleN-ChannelEnhancementModeMOSFET

FeaturePinDescription

30V/24A

DDDDDDDD

RDS(ON)14.5mΩ(typ.)@VGS10V

RDS(ON)21.5mΩ(typ.)@VGS4.5V

100%AvalancheTested

ReliableandRugged

Halogen-FreeDevicesAvailable

GSSS

SSSG

PDFN8L(5x6)

Applications

LoadSwitch

BatteryProtection

SingleN-ChannelMOSFET

OrderingandMarkingInformation

PackageCode

C2C2:PDFN8L(5x6)

G170N03

XYMXXXXXXDateCode

XYMXXXXXX

Note:HUAYIlead-freeproductscontainmoldingcompounds/dieattachmaterialsand100%mattetinplateTermi-

Nationfinish;whicharefullycompliantwithRoHS.HUAYIlead-freeproductsmeetorexceedthelead-Freerequire-

mentsofIPC/JEDECJ-STD-020forMSLclassificationatlead-freepeakreflowtemperature.HUAYIdefines“Green”

tomeanlead-free(RoHScompliant)andhalogenfree(BrorCldoesnotexceed900ppmbyweightinhomogeneous

materialandtotalofBrandCldoesnotexceed1500ppmbyweight).

HUAYIreservestherighttomakechanges,corrections,enhancements,modifications,andimprovementstothispr

-oductand/ortothisdocumentatanytimewithoutnotice.

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