宏盛微半导体HYG200N12NS1C2.pdf

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HYG200N12NS1C2

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

FeaturePinDescription

DDDDDDDD

120V/60A

RDS(ON)14.7mΩ(typ.)@VGS10V

100%AvalancheTested

ReliableandRugged

Halogen-FreeandGreenDevicesAvailable

(RoHSCompliant)SSSGGSSS

PDFN8L（5x6）

Pin1

Applications

PowerSwitchingapplication

HighFrequencySynchronousBuckConverter

OrderingandMarkingInformationN-ChannelMOSFET

PackageCode

C2C2:PDFN8L（5x6）

G200N12

DateCode

XYMXXXXXX

Note:HUAYIlead-freeproductscontainmoldingcompounds/dieattachmaterialsand100%mattetinplateTermi-

Nationfinish;whicharefullycompliantwithRoHS.HUAYIlead-freeproductsmeetorexceedthelead-Freerequire-

mentsofIPC/JEDECJ-STD-020forMSLclassificationatlead-freepeakreflowtemperature.HUAYIdefines“Green”

tomeanlead-free(RoHScompliant)andhalogenfree(BrorCldoesnotexceed900ppmbyweightinhomogeneous

materialandtotalofBrandCldoesnotexceed1500ppmbyweight).

HUAYIreservestherighttomakechanges,corrections,enhancements,modifications,andimprovementstothispr

-oductand/ortothisdocumentatanytimewithoutnotice.

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