用于磁电子器件的合成反铁磁结构.pdfVIP

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）发明专利申请

（10）申请公布号CN1726400A

（43）申请公布日2006.01.25

（21）申请号CN200380106461.7

（22）申请日2003.10.28

（71）申请人飞思卡尔半导体公司

地址美国得克萨斯

（72）发明人加森艾伦加奈斯基;布莱德利N英格尔;尼古拉斯D里佐;约汉M斯劳格特

（74）专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人王永刚

（51）Int.CI

G01R33/09;

G11C11/16;

H01F10/32;

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

用于磁电子器件的合成反铁磁结构

（57）摘要

一种近似平衡的合成反铁磁(SAF)结构，

其能够优良地使用于诸如磁电阻存储单元的磁电

子器件(5)中，该结构包括两个铁磁层(45，55)和

分隔这两个铁磁层的一个反铁磁耦合层(65)。该

SAF自由层(15)具有在该反铁磁耦合层中形成的

弱耦合区域，其通过诸如退火、层叠反铁磁耦合

层或在铁磁层的一个粗造化表面上形成反铁磁耦

合层等处理来形成。相对于未处理的SAF自由

层，该弱耦合区域降低了SAF自由层的翻转磁

场。SAF翻转被用于这种结构的写入操作期间，

而它的减小导致了写入操作期间更低的功耗及相

应提高的器件性能。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

2006-01-25公开公开

2006-03-22实质审查的生效实质审查的生效

2009-07-01授权授权

2013-12-18专利权的终止专利权的终止

权利要求说明书

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说明书

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