DB13T 1631-2012 太阳能级多晶硅锭.docxVIP

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DB13

河北省地方标准DB13/T1631—2012

太阳能级多晶硅锭

Thesolargradepolysiliconingot

2012-09-28发布2012-10-15实施

河北省质量技术监督局发布

I

DB13/T1631—2012

前言

本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。

本标准起草单位：英利集团有限公司。

本标准起草人:高艳杰、王爱军、王亮。

1

DB13/T1631—2012

太阳能级多晶硅锭

1范围

本标准规定了太阳能级多晶硅锭的产品质量等级、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。本标准适用于太阳能级多晶硅锭。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T191包装储运图示标志

GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法

GB/T14141硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法

GB/T12963硅多晶

GB/T14264半导体材料术语

GB/T25074太阳能级多晶硅

GB50034-2004建筑照明设计标准

3定义

GB/T14264界定的以及以下术语和定义适用于本文件。3.1

多晶硅锭Thepolysiliconingot

将多晶硅料进行掺杂，运用定向凝固法，经过高温生长的方形多晶硅锭。3.2

粘锅Adhesioncrucible

多晶硅料经过定向凝固出炉后，由于多晶硅锭与坩埚碎片的粘连，造成的多晶硅锭破损。3.3

裂纹Crackle

延伸到硅锭表面的解理或断裂，其或许没有穿过硅锭的整个高度或宽度。

2

DB13/T1631—20123.4

杂质堆积Impurityaccumulation

运用定向凝固法生长的多晶硅锭，内部存在的氧化物、氮化物、碳化硅、金属沉淀等杂质团聚物或由于位错、堆垛层错等缺陷生成的微晶区域或生长中产生的裂纹、空洞等缺陷。

3.5

阴影比例Impurityshadowarearatio

阴影比例指多晶硅锭按切割要求破块后，利用红外测试的方法观测硅块侧面，杂质堆积造成的阴影高度与有效切割高度的百分比。

3.6

硅锭出材率Siliconingotyield

硅锭可切割成硅片用的部分重量与硅锭总重量的比值。

4质量等级划分

4.1质量等级分为优等品、一等品、二等品三个等级。

5质量等级要求

5.1外观

外观要求见表1。

表1外观要求

项目

优等品

一等品

二等品

裂纹程度

无裂纹现象

存在不影响出材率的轻微裂纹现象。

存在影响切割的裂纹现象，影响出材率不超过20%的程度。

粘锅程度

无粘锅现象

存在不影响出材率的轻微粘锅现象。

存在影响切割的粘锅现象，影响出材率不超过20%的程度。

5.2氧碳含量

氧碳含量要求见表2。

表2氧碳含量要求

项目

优等品

一等品

二等品

氧含量O/(atoms/cm3)

O≤1.0

×1018

碳含量C/(atoms/cm3)

C≤8.0

×1017

3

DB13/T1631—2012

5.3电学特性

电学特性要求见表3。

表3电学特性要求

项目

优等品

一等品

二等品

导电类型

全部符合要求

顶部不符合要求，但不影响出材率。

顶部不符合要求，影响出材率不超过10%的程度。

电阻率ρ/(Ω·cm)

1≤ρ≤1.5

0.7≤ρ＜1或1.5ρ≤2

0.5≤ρ＜0.7或2ρ≤4

少子寿命τ/μs

τ≥4

2≤τ＜4

1≤τ＜2

5.4杂质堆积程度

杂质堆积程度要求见表4。

表4杂质堆积程度要求

项目

优等品

一等品

二等品

阴影比例δ/%

≤5

5δ≤10

10δ≤30

5.5出材率

出材率要求见表5。

表5出材率要求

项目

优等品

一等品

二等品

出材率η/%

η≥74

70%≤η＜74

65≤η＜70

6试验方法

6.1外观检验

6.1.1太阳能级多晶硅锭的裂纹程度采用目测法，需要时使用分度值为1mm的刻度尺进行测量。

6.1.2太阳能级多晶硅锭