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DB13
河北省地方标准DB13/T1631—2012
太阳能级多晶硅锭
Thesolargradepolysiliconingot
2012-09-28发布2012-10-15实施
河北省质量技术监督局发布
I
DB13/T1631—2012
前言
本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。
本标准起草单位:英利集团有限公司。
本标准起草人:高艳杰、王爱军、王亮。
1
DB13/T1631—2012
太阳能级多晶硅锭
1范围
本标准规定了太阳能级多晶硅锭的产品质量等级、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和储存。本标准适用于太阳能级多晶硅锭。
2规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其必威体育精装版版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T191包装储运图示标志
GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T14141硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T12963硅多晶
GB/T14264半导体材料术语
GB/T25074太阳能级多晶硅
GB50034-2004建筑照明设计标准
3定义
GB/T14264界定的以及以下术语和定义适用于本文件。3.1
多晶硅锭Thepolysiliconingot
将多晶硅料进行掺杂,运用定向凝固法,经过高温生长的方形多晶硅锭。3.2
粘锅Adhesioncrucible
多晶硅料经过定向凝固出炉后,由于多晶硅锭与坩埚碎片的粘连,造成的多晶硅锭破损。3.3
裂纹Crackle
延伸到硅锭表面的解理或断裂,其或许没有穿过硅锭的整个高度或宽度。
2
DB13/T1631—20123.4
杂质堆积Impurityaccumulation
运用定向凝固法生长的多晶硅锭,内部存在的氧化物、氮化物、碳化硅、金属沉淀等杂质团聚物或由于位错、堆垛层错等缺陷生成的微晶区域或生长中产生的裂纹、空洞等缺陷。
3.5
阴影比例Impurityshadowarearatio
阴影比例指多晶硅锭按切割要求破块后,利用红外测试的方法观测硅块侧面,杂质堆积造成的阴影高度与有效切割高度的百分比。
3.6
硅锭出材率Siliconingotyield
硅锭可切割成硅片用的部分重量与硅锭总重量的比值。
4质量等级划分
4.1质量等级分为优等品、一等品、二等品三个等级。
5质量等级要求
5.1外观
外观要求见表1。
表1外观要求
项目
优等品
一等品
二等品
裂纹程度
无裂纹现象
存在不影响出材率的轻微裂纹现象。
存在影响切割的裂纹现象,影响出材率不超过20%的程度。
粘锅程度
无粘锅现象
存在不影响出材率的轻微粘锅现象。
存在影响切割的粘锅现象,影响出材率不超过20%的程度。
5.2氧碳含量
氧碳含量要求见表2。
表2氧碳含量要求
项目
优等品
一等品
二等品
氧含量O/(atoms/cm3)
O≤1.0
×1018
碳含量C/(atoms/cm3)
C≤8.0
×1017
3
DB13/T1631—2012
5.3电学特性
电学特性要求见表3。
表3电学特性要求
项目
优等品
一等品
二等品
导电类型
全部符合要求
顶部不符合要求,但不影响出材率。
顶部不符合要求,影响出材率不超过10%的程度。
电阻率ρ/(Ω·cm)
1≤ρ≤1.5
0.7≤ρ<1或1.5ρ≤2
0.5≤ρ<0.7或2ρ≤4
少子寿命τ/μs
τ≥4
2≤τ<4
1≤τ<2
5.4杂质堆积程度
杂质堆积程度要求见表4。
表4杂质堆积程度要求
项目
优等品
一等品
二等品
阴影比例δ/%
≤5
5δ≤10
10δ≤30
5.5出材率
出材率要求见表5。
表5出材率要求
项目
优等品
一等品
二等品
出材率η/%
η≥74
70%≤η<74
65≤η<70
6试验方法
6.1外观检验
6.1.1太阳能级多晶硅锭的裂纹程度采用目测法,需要时使用分度值为1mm的刻度尺进行测量。
6.1.2太阳能级多晶硅锭
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